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N datilografa, a bolacha do fosforeto de índio, 6", categoria do teste - bolacha de Powerway
PAM-XIAMEN fornece a bolacha do InP do único cristal (fosforeto de índio) para a indústria micro-electrónica (HEMT de HBT/) e opto-eletrônica (diodo emissor de luz/DWDM/PIN/VCSELs) no diâmetro até 6 polegadas. O cristal de (InP) do fosforeto de índio é formado por dois elementos, índios e fosforeto, crescimento pelo método encapsulado líquido de Czochralski (LEC) ou pelo método de VGF. A bolacha do InP é um material importante que têm as propriedades elétricas e térmicas superiores, bolacha do semicondutor do InP tem uma mobilidade de elétron mais alta, uma frequência mais alta, um consumo da baixa potência, uma condutibilidade térmica mais alta e o desempenho de baixo nível de ruído. PAM-XIAMEN pode fornecer a bolacha pronta do InP da categoria do epi para sua aplicação epitaxial do MOCVD & do MBE. Contacte por favor nossa equipe do coordenador para mais informação da bolacha.
N datilografa, a bolacha do fosforeto de índio, 6", categoria do teste
| 6" especificação da bolacha do InP | ||||
| Artigo | Especificações | |||
| Tipo da condução | N-tipo | N-tipo | ||
| Entorpecente | Undoped | Enxofre | ||
| Diâmetro da bolacha | 6" | |||
| Orientação da bolacha | 100±0.5° | |||
| Espessura da bolacha | ||||
| Comprimento liso preliminar | ||||
| Comprimento liso secundário | ||||
| Concentração de portador | ≤3x1016cm-3 | (0.8-6) x1018cm-3 | (0.6-6) x1018cm-3 | N/A |
| Mobilidade | (3.5-4) x103cm2/V.s | (1.5-3.5) x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| Resistividade | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ω.cm |
| EPD | <1000cm>-2 | <1x10>3cm-2 | <1x10>3cm-2 | <5x10>3cm-2 |
| TTV | ||||
| CURVA | ||||
| URDIDURA | ||||
| Marcação do laser | mediante solicitação | |||
| Revestimento de Suface | P/E, P/P | |||
| Epi pronto | sim | |||
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |||
Fatos do fosforeto de índio
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A mobilidade de salão do elétron contra a temperatura para a lubrificação diferente nivela. Curva inferior - no=Nd-Na=8·1017 cm-3; Curva média - no=2·1015 cm-3; Curva superior - no=3·1013 cm-3. (Razeghi e outros [1988]) e ( de Walukiewicz e outros [1980]). |
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Mobilidade de salão do elétron contra a temperatura (altas temperaturas): Curva inferior - no=Nd-Na~3·1017 cm-3; Curva média - no~1.5·1016 cm-3; Curva superior - no~3·1015 cm-3. (Galavanov e Siukaev [1970]). |
µn = (4.2÷5.4)·103·(300/T) (cm2V-1 s-1)
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Mobilidade de salão contra a concentração do elétron para relações diferentes da compensação. θ = Na/Nd, 77 K. As curvas tracejadas são cálculos teóricos: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8; ( do de Walukiewicz e outros [1980]). A linha contínua é valores observados do meio ( do de Anderson e outros [1985]). |
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Mobilidade de salão contra a concentração do elétron para relações diferentes da compensação θ =Na/Nd, 300 K. As curvas tracejadas são cálculos teóricos: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8; ( do de Walukiewicz e outros [1980]). A linha contínua é valores observados do meio ( do de Anderson e outros [1985]). |
Μ=ΜOH/[1+ (Nd/107) 1/2],
onde ΜOH=5000 cm2V-1 s-1,
Nd em cm-3 (Hilsum [1974])
Em 300 K, o fator rn≈1 de Salão do elétron no n-InP.
para Nd > 1015 cm-3.
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Fure a mobilidade de salão contra a temperatura para níveis de lubrificação diferentes (do Zn). Concentração de furo em 300 K: 1. 1,75·1018 cm-3; 2. 3,6·1017 cm-3; 3. 4,4·1016 cm-3. θ=Na/Nd~0.1. ( do de Kohanyuk e outros [1988]). |
µpH~150·(300/T) 2,2 (cm2V-1 s-1).
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Mobilidade de salão do furo contra a densidade do furo, 300 K (Wiley [1975]). A fórmula aproximada para a mobilidade de salão do furo: µp=µpo/[1 + (Na/2·1017) 1/2], onde µpo~150 cm2V-1 s-1, Na em cm-3 |
Em 300 K, o fator do furo no p-InP puro: rp~1
Pilhas fotovoltaicos com eficiências as mais altas das carcaças do InP do implementar de até 46% (comunicado de imprensa, Fraunhofer ISE, 1. dezembro de 2014) para conseguir uma combinação ótima do bandgap para converter eficientemente a radiação solar na energia elétrica. Hoje, somente as carcaças do InP conseguem a estrutura constante para crescer os baixos materiais exigidos do bandgap com qualidade cristalina alta. Os grupos de investigação pelo mundo inteiro estão procurando as substituições devido aos custos altos destes materiais. Contudo, até agora todas opções restantes rendem umas mais baixas qualidades materiais e daqui umas mais baixas eficiências de conversão. Uma pesquisa mais adicional centra-se sobre a reutilização da carcaça do InP como o molde para a produção de umas células solares mais adicionais.
As células solares de grande eficacia avançadas também de hoje para o photovoltaics (CPV) do concentrador e para aplicações do espaço usam (GA) o InP e os outros compostos de III-V para conseguir as combinações exigidas do bandgap. Outras tecnologias, tais como células solares do si, fornecem somente a metade do poder do que as pilhas de III-V e além disso mostram uma degradação muito mais forte no ambiente áspero do espaço. Finalmente, as células solares Si-baseadas são igualmente muito mais pesadas do que células solares de III-V e rendem a uma quantidade mais alta de restos de espaço. Uma maneira de aumentar significativamente a eficiência de conversão igualmente em sistemas terrestres do picovolt é o uso de células solares similares de III-V nos sistemas de CPV onde somente aproximadamente um décimo de um por cento da área são cobertos pelas células solares de grande eficacia de III-V
Você está procurando uma carcaça do InP?
PAM-XIAMEN é orgulhoso oferecer a carcaça do fosforeto de índio para todos os tipos diferentes dos projetos. Se você está procurando bolachas do InP, envie-nos o inquérito hoje para aprender mais sobre como nós podemos trabalhar com você para lhe obter as bolachas que do InP você precisa para seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!