Tipo de N, carcaça do InP (fosforeto de índio), 3", categoria principal - semicondutor composto

N datilografa, a carcaça do InP, 3", categoria principal

PAM-XIAMEN oferece a bolacha do InP – fosforeto de índio que são crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) ou por VGF (gelo vertical do inclinação) como a categoria epi-pronta ou mecânica com tipo de n, tipo de p ou semi-isolamento na orientação diferente (111) ou (100).

O fosforeto de índio (InP) é um semicondutor binário composto do índio e do fósforo. Tem (de “blenda zinco ") uma estrutura de cristal cúbica cara-centrada, idêntica àquela do GaAs e à maioria dos semicondutores de III-V. O fosforeto de índio pode ser preparado da reação do iodeto do fósforo branco e do índio [esclarecimento necessário] em 400 °C., [5] igualmente pela combinação direta dos elementos refinados na alta temperatura e na pressão, ou pela decomposição térmica de uma mistura de um composto e de um fosforeto do índio do trialkyl. O InP é usado na eletrônica de alta potência e de alta frequência [citação necessária] devido a sua velocidade superior do elétron no que diz respeito aos semicondutores mais comuns silicone e ao arsenieto de gálio.

N datilografa, a carcaça do InP, 3", categoria principal

Que é uma bolacha do teste?

A maioria de bolachas do teste são as bolachas que caíram fora das especificações principais. As bolachas do teste podem ser usadas para correr as maratonas, equipamento de teste e para a parte alta R & D. São frequentemente uma alternativa eficaz na redução de custos para aprontar bolachas.

	A mobilidade de salão do elétron contra a temperatura para a lubrificação diferente nivela. Curva inferior - no=Nd-Na=8·1017 cm-3; Curva média - no=2·1015 cm-3; Curva superior - no=3·1013 cm-3. (Razeghi e outros [1988]) e (  de Walukiewicz   e outros [1980]).
	Mobilidade de salão do elétron contra a temperatura (altas temperaturas): Curva inferior - no=Nd-Na~3·1017 cm-3; Curva média - no~1.5·1016 cm-3; Curva superior - no~3·1015 cm-3. (Galavanov e Siukaev [1970]).

Para o n-InP fracamente lubrificado em temperaturas perto da mobilidade de tração do elétron de 300 K:

µn = (4.2÷5.4)·103·(300/T) (cm2V-1 s-1)

	Mobilidade de salão contra a concentração do elétron para relações diferentes da compensação. θ = Na/Nd, 77 K. As curvas tracejadas são cálculos teóricos: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8; (  do   de Walukiewicz e outros [1980]). A linha contínua é valores observados do meio (  do   de Anderson e outros [1985]).
	Mobilidade de salão contra a concentração do elétron para relações diferentes da compensação θ =Na/Nd, 300 K. As curvas tracejadas são cálculos teóricos: 1. θ = 0; 2. θ = 0,2; 3. θ = 0,4; 4. θ = 0,6; 5. θ = 0,8; (  do   de Walukiewicz e outros [1980]). A linha contínua é valores observados do meio (  do   de Anderson e outros [1985]).

Fórmula aproximada para a mobilidade de salão do elétron

Μ=ΜOH/[1+ (Nd/107) 1/2],
onde ΜOH=5000 cm2V-1 s-1,
Nd em cm-3 (Hilsum [1974])

Em 300 K, o fator rn≈1 de Salão do elétron no n-InP.
para Nd > 1015 cm-3.

Fure a mobilidade de salão contra a temperatura para níveis de lubrificação diferentes (do Zn). Concentração de furo em 300 K: 1. 1,75·1018 cm-3; 2. 3,6·1017 cm-3; 3. 4,4·1016 cm-3. θ=Na/Nd~0.1. (  do   de Kohanyuk e outros [1988]).

Para o p-InP fracamente lubrificado na temperatura perto de 300 K a mobilidade de salão

µpH~150·(300/T) 2,2 (cm2V-1 s-1).

Mobilidade de salão do furo contra a densidade do furo, 300 K (Wiley [1975]). A fórmula aproximada para a mobilidade de salão do furo: µp=µpo/[1 + (Na/2·1017) 1/2], onde µpo~150 cm2V-1 s-1, Na em cm-3

Em 300 K, o fator do furo no p-InP puro: rp~1

Aplicações Optoelectronic

O InP baseou lasers e o diodo emissor de luz pode emitir-se a luz na escala muito larga de 1200 nanômetro até o µm 12. Esta luz é usada para aplicações baseadas fibra das telecomunicações e do Datacom em todas as áreas do mundo digitalised. A luz é usada igualmente detectando aplicações. Em uma mão há as aplicações espectroscópicas, onde um determinado comprimento de onda é precisado de interagir com a matéria para detectar gás altamente diluídos por exemplo. O terahertz Optoelectronic é usado em analisadores espectroscópicas ultrassensíveis, medidas da espessura dos polímeros e para a detecção de revestimentos multilayer na indústria automóvel. Por outro lado há um benefício enorme de lasers específicos do InP porque são cofre forte do olho. A radiação é absorvida no corpo vítreo do olho humano e não pode prejudicar a retina. Os lasers do InP no lidar (detecção clara e agrupamento) serão um componente-chave para a mobilidade do futuro e da indústria da automatização.

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