XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
Add to Cart
N datilografa, a bolacha de semicondutor do InP (fosforeto de índio), 2", categoria do teste
PAM-XIAMEN fabrica bolachas do fosforeto de índio do único cristal de pureza alta para aplicações da ótica electrónica. Nossos diâmetros padrão da bolacha variam de 25,4 milímetros (1 polegada) a 200 milímetros (6 polegadas) em tamanho; as bolachas podem ser produzidas em várias espessuras e orientações com lados lustrados ou unpolished e podem incluir entorpecentes. PAM-XIAMEN pode produzir categorias da vasta gama: categoria principal, categoria do teste, categoria do manequim, categoria técnica, e categoria ótica. PAM-XIAMEN igualmente oferecem materiais às especificações do cliente pelo pedido, além do que composições feitas sob encomenda para aplicações do anúncio publicitário e da pesquisa e tecnologias proprietárias novas.
N datilografa, a bolacha do InP, 2", categoria do teste
| 2" especificação da bolacha do InP | ||||
| Artigo | Especificações | |||
| Tipo da condução | N-tipo | N-tipo | ||
| Entorpecente | Undoped | Enxofre | ||
| Diâmetro da bolacha | 2" | |||
| Orientação da bolacha | 100±0.5° | |||
| Espessura da bolacha | 350±25um | |||
| Comprimento liso preliminar | 16±2mm | |||
| Comprimento liso secundário | 8±1mm | |||
| Concentração de portador | ≤3x1016cm-3 | (0.8-6) x1018cm-3 | (0.6-6) x1018cm-3 | N/A |
| Mobilidade | (3.5-4) x103cm2/V.s | (1.5-3.5) x103cm2/V.s | 50-70cm2/V.s | >1000cm2/V.s |
| Resistividade | N/A | N/A | N/A | >0.5x107Ωcm |
| EPD | <1000cm>-2 | <500cm>-2 | <1x10>3cm-2 | <5x10>3cm-2 |
| TTV | <10um> | |||
| CURVA | <10um> | |||
| URDIDURA | <12um> | |||
| Marcação do laser | mediante solicitação | |||
| Revestimento de Suface | P/E, P/P | |||
| Epi pronto | sim | |||
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |||
Que é bolacha do InP?
O fosforeto de índio é um similar material semiconducting ao GaAs e ao silicone mas é muito um produto de ameia. É muito eficaz em desenvolver o processamento muito de alta velocidade e é mais caro do que o GaAs devido aos grandes comprimentos recolher e desenvolver os ingredientes. Deixe-nos olhar um pouco mais de fatos sobre o fosforeto de índio como se refere uma bolacha do InP.
Parâmetros da recombinação
| N-tipo puro material (nenhum ~ 10-14cm-3) | |
| A vida a mais longa dos furos | τp ~ 3·10-6 s |
| Comprimento de difusão Lp = (Dp·τp) 1/2 | Lp ~ µm 40. |
| P-tipo puro material (po ~ 1015cm-3) | |
| (a) baixo nível da injeção | |
| A vida a mais longa dos elétrons | τn ~ 2·10-9 s |
| Comprimento de difusão Ln = (Dn·τn) 1/2 | Ln ~ µm 8 |
| (b) nível alto da injeção (armadilhas enchidas) | |
| A vida a mais longa dos elétrons | τ ~ 10-8 s |
| Comprimento de difusão Ln | Ln ~ µm 25 |
 |
Velocidade de recombinação de superfície contra o calor de reação pelo átomo de cada fosforeto ΔHR do metal ( do de Rosenwaks e outros [1990]). |
Se o nível de Fermi de superfície EFS é fixado perto do midgap (EFS ~ por exemplo/2) a velocidade de recombinação de superfície aumenta de ~5·10-3cm/s para lubrificar o nível no~3·1015 cm-3 a ~106 cm/s para lubrificar o nível nenhum ~ 3·1018cm-3 ( do de Bothra e outros [1991]).
| Coeficiente Radiative da recombinação (300 K) | 1,2·10-10 cm3/s |
| Coeficiente do eixo helicoidal (300 K) | ~9·10-31 cm6/s |
O InP é usado na eletrônica de alta potência e de alta frequência [citação necessária] devido a sua velocidade superior do elétron no que diz respeito aos semicondutores mais comuns silicone e ao arsenieto de gálio.
Foi usado com o arsenieto de gálio do índio para fazer um registro que quebra a heterojunção pseudo-mórfica o transistor bipolar que poderia se operar em 604 gigahertz.
Igualmente tem um bandgap direto, fazendo o útil para dispositivos da ótica electrónica como diodos láser. A empresa Infinera usa o fosforeto de índio como seu material tecnologico principal fabricando circuitos integrados fotónicos para a indústria ótica das telecomunicações, para permitir aplicações da multiplexação da comprimento de onda-divisão.
O InP é usado igualmente como uma carcaça para dispositivos opto-eletrônicos baseados epitaxial do arsenieto de gálio do índio.
PAM-XIAMEN é seu ir-ao lugar para tudo bolachas, incluindo bolachas do InP, como nós o temos feito por quase 30 anos! Inquira-nos hoje para aprender mais sobre as bolachas que nós oferecemos e como nós podemos o ajudar com seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!