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Bolacha de vidro

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XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.

Cidade:xiamen

Província / Estado:fujian

País / Região:china

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Bolacha principal/mecânica do InP da categoria, tipo de n, tipo de p ou Semi-isolamento na orientação (100) ou (111)

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Lugar de origem :China

Quantidade de ordem mínima :1-10,000pcs

Termos do pagamento :T/T.

Tempo de entrega :10.000 bolachas/mês

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Bolacha mecânica do InP da categoria, tipo de n, tipo de p ou Semi-isolamento na orientação (100) ou (111)

PAM-XIAMEN oferece a bolacha do InP do semicondutor composto - fosforeto de índio que são crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) ou por VGF (gelo vertical do inclinação) como a categoria epi-pronta ou mecânica com tipo de n, tipo de p ou semi-isolamento na orientação diferente (111) ou (100).

O fosforeto de índio (InP) é um semicondutor binário composto do índio e do fósforo. Tem (de “blenda zinco”) uma estrutura de cristal cúbica cara-centrada, idêntica àquela do GaAs e à maioria dos semicondutores de III-V. O fosforeto de índio pode ser preparado da reação do iodeto do fósforo branco e do índio [esclarecimento necessário] em 400 °C., [5] igualmente pela combinação direta dos elementos refinados na alta temperatura e na pressão, ou pela decomposição térmica de uma mistura de um composto e de um fosforeto do índio do trialkyl. O InP é usado na eletrônica de alta potência e de alta frequência [citação necessária] devido a sua velocidade superior do elétron no que diz respeito aos semicondutores mais comuns silicone e ao arsenieto de gálio.

Está aqui a especificação de detalhe:

2" (50.8mm) especificação da bolacha do InP

3" (76.2mm) especificação da bolacha do Inp

4" (100mm) bolacha Specificatio do InP

2" especificação da bolacha do InP

Artigo	Especificações
Entorpecente	N-tipo	N-tipo	P-tipo	Si-tipo
Tipo da condução	Undoped	Enxofre	Zinco	lron
Diâmetro da bolacha	2"
Orientação da bolacha	(100) ±0.5°
Espessura da bolacha	350±25um
Comprimento liso preliminar	16±2mm
Comprimento liso secundário	8±1mm
Concentração de portador	3x1016cm-3	(0.8-6) x1018cm-3	(0.6-6) x1018cm-3	N/A
Mobilidade	(3.5-4) x103cm2/V.s	(1.5-3.5) x103cm2/V.s	50-70x103cm2/V.s	>1000cm2/V.s
Resistividade	N/A	N/A	N/A	N/A
EPD	<1000cm>-2	<500cm>-2	<1x10>3cm2	<5x10>3cm2
TTV	<10um>
CURVA	<10um>
URDIDURA	<12um>
Marcação do laser	mediante solicitação
Revestimento de Suface	P/E, P/P
Epi pronto	sim
Pacote	Única recipiente ou gaveta da bolacha

3" especificação da bolacha do InP

Artigo	Especificações
Entorpecente	N-tipo	N-tipo	P-tipo	Si-tipo
Tipo da condução	Undoped	Enxofre	Zinco	lron
Diâmetro da bolacha	3"
Orientação da bolacha	(100) ±0.5°
Espessura da bolacha	600±25um
Comprimento liso preliminar	16±2mm
Comprimento liso secundário	8±1mm
Concentração de portador	≤3x1016cm-3	(0.8-6) x1018cm-3	(0.6-6) x1018cm-3	N/A
Mobilidade	(3.5-4) x103cm2/V.s	(1.5-3.5) x103cm2/V.s	50-70x103cm2/V.s	>1000cm2/V.s
Resistividade	N/A	N/A	N/A	N/A
EPD	<1000cm>-2	<500cm>-2	<1x10>3cm2	<5x10>3cm2
TTV	<12um>
CURVA	<12um>
URDIDURA	<15um>
Marcação do laser	mediante solicitação
Revestimento de Suface	P/E, P/P
Epi pronto	sim
Pacote	Única recipiente ou gaveta da bolacha

4" especificação da bolacha do InP

Artigo	Especificações
Entorpecente	N-tipo	N-tipo	P-tipo	Si-tipo
Tipo da condução	Undoped	Enxofre	Zinco	lron
Diâmetro da bolacha	4"
Orientação da bolacha	(100) ±0.5°
Espessura da bolacha	600±25um
Comprimento liso preliminar	16±2mm
Comprimento liso secundário	8±1mm
Concentração de portador	≤3x1016cm-3	(0.8-6) x1018cm-3	(0.6-6) x1018cm-3	N/A
Mobilidade	(3.5-4) x103cm2/V.s	(1.5-3.5) x103cm2/V.s	50-70x103cm2/V.s	>1000cm2/V.s
Resistividade	N/A	N/A	N/A	N/A
EPD	<1000cm>-2	<500cm>-2	<1x10>3cm2	<5x10>3cm2
TTV	<15um>
CURVA	<15um>
URDIDURA	<15um>
Marcação do laser	mediante solicitação
Revestimento de Suface	P/E, P/P
Epi pronto	sim
Pacote	Única recipiente ou gaveta da bolacha

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