XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
MATERIAL AVANÇADO CO. DE XIAMEN POWERWAY, LTD.
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N datilografa, a carcaça de InAs, 3", categoria principal
PAM-XIAMEN oferece a bolacha de InAs – arsenieto do índio que são crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) ou por VGF (gelo vertical do inclinação) como a categoria epi-pronta ou mecânica com tipo de n, tipo de p ou undoped na orientação diferente (111), (100) ou (110). PAM-XIAMEN pode fornecer a bolacha pronta de InAs da categoria do epi para sua aplicação epitaxial do MOCVD & do MBE. Contacte por favor nossa equipe do coordenador para mais informação da bolacha.
3" especificação da bolacha de InAs
| Artigo | Especificações | |
| Entorpecente | Stannum | Enxofre |
| Tipo da condução | N-tipo | N-tipo |
| Diâmetro da bolacha | 3" | |
| Orientação da bolacha | (100) ±0.5° | |
| Espessura da bolacha | 600±25um | |
| Comprimento liso preliminar | 22±2mm | |
| Comprimento liso secundário | 11±1mm | |
| Concentração de portador | (5-20) x1017cm-3 | (1-10) x1017cm-3 |
| Mobilidade | 7000-20000cm2/V.s | 6000-20000cm2/V.s |
| EPD | <5x104cm-2 | <3x104cm-2 |
| TTV | <12um | |
| CURVA | <12um | |
| URDIDURA | <15um | |
| Marcação do laser | mediante solicitação | |
| Revestimento de Suface | P/E, P/P | |
| Epi pronto | sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | |
Que é o processo de InAs?
As bolachas de InAs devem ser preparadas antes da fabricação do dispositivo. Para começar, devem completamente ser limpados para remover todo o dano que possa ter ocorrido durante o processo de corte. As bolachas quimicamente mecanicamente são lustradas então/Plaranrized (CMP) para a fase material final da remoção. Isto permite a realização de super-liso espelho-como superfícies com uma aspereza restante em uma escala atômica. Isso é terminado em seguida, a bolacha está pronto para a fabricação.
| Campo da divisão | ≈4·104 V cm-1 |
| Mobilidade dos elétrons | ≤4·104 cm2V-1s-1 |
| Mobilidade dos furos | ≤5·102 cm2 de V-1s-1 |
| Coeficiente de difusão dos elétrons | ≤103 cm2s-1 |
| Coeficiente de difusão dos furos | cm2 de ≤13 s-1 |
| Velocidade do thermal do elétron | 7,7·105 m s-1 |
| Velocidade do thermal do furo | 2·105 m s-1 |
 | Mobilidade de salão do elétron contra a temperatura para a concentração diferente do elétron: no= completo 4 dos triângulos·1015 cm-3, circunda o no= 4·1016cm-3, abra o no= 1,7 dos triângulos·1016cm-3. Curva-cálculo contínuo para InAs puro. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mobilidade de salão do elétron contra a concentração do elétron. T = 77 K. | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mobilidade de salão do elétron contra a concentração do elétron T = 300 K | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| Mobilidade de salão do elétron (R·σ) no material compensado
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| Mobilidade de salão do elétron contra o campo magnético transversal, T = 77 K. Nd (cm-3): 1. 1,7·1016; 2. 5,8·1016. |
Em T = 300 K o fator de Salão do elétron em rH puro ~1,3 dos n-InAs.
| Mobilidade de salão do furo (R·σ) contra a temperatura para densidades diferentes do aceitante. Concentração de furo em 300 K po (cm-3): 1. 5,7·1016; 2. 2,6·1017; 3. 4,2·1017; 4. 1,3·1018. |
| Coeficiente de salão contra a temperatura para densidades diferentes do aceitante. Concentração de furo em 300 K po (cm-3): 1. 5,7·1016; 2. 2,6·1017; 3. 4,2·1017; 4. 1,3·1018. |
| Dependência de estado estacionário da velocidade de tração do elétron, 300 K do campo, F || (100). Cálculo teórico |
| Dependência do campo da velocidade de tração do elétron em campo magnèticos transversais diferentes para pulsos longos (do microssegundo). Resultados experimentais, 77 K Campo magnético B (T): 1. 0,0; 2. 0,3; 3. 0,9; 4. 1,5. |
| Dependência da velocidade de tração do elétron, 77 K. do campo. Resultados da mostra das linhas contínuas do cálculo teórico para o non-parabolicity diferente α (eV-1): 1. 2,85; 2. 2,0; 3. 1,5. Os pontos mostram resultados experimentais para muito curto (os pulsos do picosegundo) |
| A dependência da ionização avalia para o αi dos elétrons e fura o βi contra 1/F, T =77K |
αi = αoexp (- Fno/F)
αo = 1,8·105 cm-1;
Fno = 1,6·105 V cm-1 (77 K)
βi = βoexp (- Fpo/F)
Em 77 K
| 1,5·104 V cm-1 < F < 3·104 V cm-1 | 3·104 V cm-1 < F < 6·104 V cm-1 |
| βo = 4,7·105 cm-1; | βo = 4,5·106 cm-1; |
| Fpo = 0,85·105 V cm-1. | Fpo = 1,54·105 V cm-1 |
| Taxa g da geração contra o campo bonde para campos relativamente baixos, T = 77 K. A linha contínua mostra o resultado do cálculo. Resultados experimentais: círculos abertos e completos - InAs undoped, abra triângulos - InAs compensado. |
| A tensão de divisão e a divisão colocam contra a lubrificação da densidade para uma junção abrupta do p-n, 77 K. |
| N-tipo puro material (nenhum =2·10-15cm-3) | |
| A vida a mais longa dos furos | τp ~ 3·10-6 s |
| Comprimento de difusão Lp | Lp ~ 10 - µm 20. |
| P-tipo puro material | |
| A vida a mais longa dos elétrons | τn ~ 3·10-8 s |
| Comprimento de difusão Ln | Ln ~ 30 - µm 60 |
Taxas de recombinação de superfície da característica (cm s-1) 102 - 104.
| 77 K | 1,2·10-9 cm3s-1 |
| 298 K | 1,1·10-10 cm3s-1 |
| 300 K | 2,2·10-27cm3s-1 |
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