XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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N datilografa, a carcaça de InSb, 3", categoria do manequim
PAM-XIAMEN fabrica bolachas de InSb do único cristal de pureza alta (antimonite do índio) para fotodiodos ou o dispositivo photoelectromagnetic, sensores do campo magnético usando a magnetorresistência ou os transistor de efeito hall, rápidos (em termos do interruptor dinâmico) devido à mobilidade de portador alta de InSb, em alguns dos detectores da câmera infravermelha da disposição no telescópio espacial de Spitzer. Nossos diâmetros padrão da bolacha variam de 1 polegada a 3 polegadas, bolachas podem ser produzidos nas várias espessuras e nas orientações diferentes (100), (111), (110) com bolachas lustradas e as bolachas vazias. PAM-XIAMEN pode produzir categorias da vasta gama: categoria principal, categoria do teste, categoria do manequim, categoria mecânica, e categoria ótica. PAM-XIAMEN igualmente oferecem o material de InSb às especificações do cliente pelo pedido, além do que composições feitas sob encomenda para aplicações do anúncio publicitário e da pesquisa e tecnologias proprietárias novas.
N datilografa, a carcaça de InSb, 3", categoria do manequim
| Especificação da bolacha | |
| Artigo | Especificações |
| Diâmetro da bolacha |
3 ″ 76.2±0.4mm |
| Orientação de cristal |
″ 3 (111) AorB±0.1° |
| Espessura |
3 ″ 800or900±25um |
| Comprimento liso preliminar |
3 ″ 22±2mm |
| Comprimento liso secundário |
3 ″ 11±1mm |
| Revestimento de superfície | P/E, P/P |
| Pacote | Recipiente da bolacha ou gaveta Epi-pronta, única dos CF |
| Bonde e lubrificando a especificação | |||
| Tipo da condução | n-tipo | n-tipo | n-tipo |
| Entorpecente | Telúrio | Baixo telúrio | Telúrio alto |
| Cm2 de EPD | ≤50 | ||
| ² V-1s-1 do cm da mobilidade | ≥2.5*104 | ≥2.5*105 | Não especificado |
| Concentração de portador cm-3 | (1-7) *1017 | 4*1014-2*1015 | ≥1*1018 |
| R.I. infravermelho | 4,0 |
| Coeficiente Radiative da recombinação | 5·10-11 cm3s-1 |
Para 120K < T < 360K dn/dT = 1,6·10-11·n
 | R.I. n contra a energia do fotão, 300 K. |
| Refletividade normal da incidência contra a energia do fotão, 300 K. |
| Coeficiente de absorção perto do limite de absorção intrínseco, T = 2K |
Um meV da energia RX1= 0,5 de Rydberg do estado à terra.
| Coeficiente de absorção perto do limite de absorção intrínseco para temperaturas diferentes |
| Limite de absorção de InSb puro. T (K): 1. 298; 2. 5K; |
| Coeficiente de absorção contra a energia do fotão, T = 300 K. |
| Coeficiente de absorção contra a energia a níveis de lubrificação diferentes, n-InSb do fotão, T = 130 K nenhum (cm-3): 1. 6,6·1013; 2. 7,5·1017; 3. 2,6·1018; 4. 6·1018; |
| Coeficiente de absorção contra a energia a níveis de lubrificação diferentes, p-InSb do fotão, T = 5K. po (cm-3): 1. 5,5·1017; 2. 9·1017; 3. 1,6·1018; 4. 2,6·1018; 5. 9,4·1018; 6. 2·1019; |
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PAM-XIAMEN é orgulhoso oferecer a carcaça do fosforeto de índio para todos os tipos diferentes dos projetos. Se você está procurando bolachas de InSb, envie-nos o inquérito hoje para aprender mais sobre como nós podemos trabalhar com você para lhe obter as bolachas que de InSb você precisa para seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!