XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
6 Anos
Casa / Produtos / InSb Wafer /

N datilografa, a bolacha de LEC InSb (antimonite do índio), 2", categoria principal, Epi pronto

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XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
Cidade:xiamen
Província / Estado:fujian
País / Região:china
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N datilografa, a bolacha de LEC InSb (antimonite do índio), 2", categoria principal, Epi pronto

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Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :1-10,000pcs
Termos do pagamento :T/T.
Capacidade da fonte :10.000 bolachas/mês
Tempo de entrega :5-50 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no único recipiente, sob uma atmosfer
Nome do produto :N datilografa a bolacha de InSb
Bolacha Diamter :2"
Tipo da condução :Tipo de N
Grau :Categoria principal
Espessura da bolacha :50.5±0.5mm
Palavra-chave :Bolacha da antimonite do índio de InSb
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N datilografa, a bolacha de LEC InSb (antimonite do índio), 2", categoria principal, Epi pronto

 

PAM-XIAMEN fabrica bolachas de InSb do único cristal de pureza alta (antimonite do índio) para fotodiodos ou o dispositivo photoelectromagnetic, sensores do campo magnético usando a magnetorresistência ou os transistor de efeito hall, rápidos (em termos do interruptor dinâmico) devido à mobilidade de portador alta de InSb, em alguns dos detectores da câmera infravermelha da disposição no telescópio espacial de Spitzer. Nossos diâmetros padrão da bolacha variam de 1 polegada a 3 polegadas, bolachas podem ser produzidos nas várias espessuras e nas orientações diferentes (100), (111), (110) com bolachas lustradas e as bolachas vazias. PAM-XIAMEN pode produzir categorias da vasta gama: categoria principal, categoria do teste, categoria do manequim, categoria mecânica, e categoria ótica. PAM-XIAMEN igualmente oferecem o material de InSb às especificações do cliente pelo pedido, além do que composições feitas sob encomenda para aplicações do anúncio publicitário e da pesquisa e tecnologias proprietárias novas.

 

N datilografa, a bolacha de InSb, 2", categoria principal, Epi pronto

Especificação da bolacha
Artigo Especificações
Diâmetro da bolacha

 

2 ″ 50.5±0.5mm
 

Orientação de cristal

 

″ 2 (111) AorB±0.1°
 

Espessura

 

2 ″ 625±25um
 

Comprimento liso preliminar

 

2 ″ 16±2mm
 

Comprimento liso secundário

 

2 ″ 8±1mm
 

Revestimento de superfície P/E, P/P
Pacote Recipiente da bolacha ou gaveta Epi-pronta, única dos CF

 

Bonde e lubrificando a especificação
Tipo da condução n-tipo n-tipo n-tipo
Entorpecente Telúrio Baixo telúrio Telúrio alto
Cm2 de EPD ≤50
² V-1s-1 do cm da mobilidade ≥2.5*104 ≥2.5*105 Não especificado
Concentração de portador cm-3 (1-7) *1017 4*1014-2*1015 ≥1*1018

 

Parâmetros básicos em 300 K da bolacha de InSb

 

Estrutura de cristal Blenda de zinco
Grupo de simetria Td2-F43m
Número de átomos em 1 cm3 2,94·1022
Temperatura de Debye 160 K
Densidade 5,77 g cm-3
Constante dielétrica
estático 16,8
alta frequência 15,7
Massa de elétron eficaz 0.014mo
O furo eficaz reune o mh 0.43mo
O furo eficaz reune o mlp 0.015mo
Afinidade de elétron eV 4,59
Constante da estrutura 6,479 A
Energia ótica do fonão 0,025 eV

 

Você está procurando uma bolacha de InSb?

PAM-XIAMEN é seu ir-ao lugar para tudo bolachas, incluindo bolachas de InSb, como nós o temos feito por quase 30 anos! Inquira-nos hoje para aprender mais sobre as bolachas que nós oferecemos e como nós podemos o ajudar com seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!

 

 

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