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Bolacha Undoped de InSb, 2", bolacha do Como-corte, bolacha mecânica, ou bolacha lustrada
PAM-XIAMEN fornece o crescimento da bolacha de InSb do único cristal (antimonite do índio) pelo método encapsulado líquido de Czochralski (LEC). A antimonite do índio (InSb) pode ser fornecida como bolachas com os revestimentos do como-corte, gravada ou lustrado e está disponível em uma vasta gama de concentração de portador, o diâmetro e thickness.PAM-XIAMEN podem fornecer a bolacha pronta de InSb da categoria do epi para sua aplicação epitaxial do MOCVD & do MBE.
Bolacha Undoped de InSb, 2", bolacha do Como-corte, bolacha mecânica, ou bolacha lustrada
Contacte por favor nossa equipe do coordenador para mais informação da bolacha.
| Especificação da bolacha | |
| Artigo | Especificações |
| Diâmetro da bolacha |
2 ″ 50.5±0.5mm |
| Orientação de cristal |
″ 2 (111) AorB±0.1° |
| Espessura |
2 ″ 625±25um |
| Comprimento liso preliminar |
2 ″ 16±2mm |
| Comprimento liso secundário |
2 ″ 8±1mm |
| Revestimento de superfície | P/E, P/P |
| Pacote | Recipiente da bolacha ou gaveta Epi-pronta, única dos CF |
| Bonde e lubrificando a especificação | |
| Tipo da condução | n-tipo |
| Entorpecente | Undoped |
| Cm2 de EPD | ≤50 |
| ² V-1s-1 do cm da mobilidade | ≥4*105 |
| Concentração de portador cm-3 | 5*1013-3*1014 |
Concentração de estrutura e de portador de faixa de bolacha de InSb
A concentração de estrutura e de portador de faixa de bolacha de InSb inclui parâmetros básicos, temperatura, dependências, dependência da energia Gap na pressão hidrostática, massas eficazes, doadores e aceitantes
Parâmetros básicos
Dependências da temperatura
Dependência da energia Gap na pressão hidrostática
Massas eficazes
Doadores e aceitantes
| Diferença de energia | 0,17 eV |
| Separação da energia (EΓL) entre Γ e L vales | 0,51 eV |
| Separação da energia (EΓX) entre vales de Γ e de X | 0,83 eV |
| Rachadura rotação-orbital da energia | 0,80 eV |
| Concentração de portador intrínseco | 2·1016 cm-3 |
| Resistividade intrínseca | 4·10-3 Ω·cm |
| Densidade eficaz da faixa de condução dos estados | 4,2·1016 cm-3 |
| Densidade eficaz da faixa do valence dos estados | 7,3·1018 cm-3 |
 |
Concentração de estrutura e de portador de faixa de InSb 300 K Por exemplo = 0,17 eV EL = 0,68 eV EV de EX= 1,0 Eso = 0,8 eV |
Por exemplo = 0,24 - 6·10-4·T2/(T+500) (eV),
onde T está a umas temperaturas nos graus K (0 < T="">
Nc~ 8·1012·T3/2 (cm-3)
Nn ~ 1,4·1015·T3/2 (cm-3).
ni = (Nc·Nν) 1/2exp (- por exemplo (2kbT))
Para 200K < T="">
|
As dependências da temperatura da concentração de portador intrínseco. |
|
Nível de Fermi contra a temperatura para concentrações diferentes de doadores e de aceitantes rasos. |
Por exemplo ≈ por exemplo (0) + 13,7·10-3P - 3,6·10-5P2 (eV)
EL≈EL (0) + 4,7·10-3P - 1,1·10-5P2 (eV)
EX≈EX (0) - 3,5·10-3P + 0,64·10-5P2 (eV),
onde P é pressão em kbar.
| Elétrons: | |
| Para o Γ-vale | mΓ = 0.0.14mo |
| Non-parabolicity: E (1+αE) = h2k2/(2mΓ) |
α = 4,1 (eV-1) |
| Na massa eficaz do L-vale da densidade dos estados | mL=0.25mo |
|
Massa eficaz do elétron contra a concentração do elétron |
| Furos: | mh = 0.43mo |
| Pesado | mh = 0.43mo |
| Luz | mlp = 0.015mo |
| Faixa da separação-fora | mso = 0.19mo |
| Massa eficaz da densidade dos estados | milivolt = 0.43mo |
SE, S, Te.
| CD | Zn | Cr | Cu° | Cu |
| 0,01 | 0,01 | 0,07 | 0,028 | 0,056 |
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