XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
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6 Anos
Casa / Produtos / InSb Wafer /

Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3", categoria principal

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XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
Cidade:xiamen
Província / Estado:fujian
País / Região:china
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Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3", categoria principal

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Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :1-10,000pcs
Termos do pagamento :T/T.
Capacidade da fonte :10.000 bolachas/mês
Tempo de entrega :5-50 dias de trabalho
Detalhes de empacotamento :Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, no único recipiente, sob uma atmosfer
Nome do produto :Bolacha da carcaça da antimonite do índio
Bolacha Diamter :3 polegadas
Grau :Categoria principal
Matéria :Bolacha Undoped de InSb
Espessura da bolacha :3 ″ 800or900±25um
Palavra-chave :Bolacha de InSb da antimonite do índio
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Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3", categoria principal

PAM-XIAMEN oferece a bolacha de InSb – antimonite do índio que são crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como a categoria epi-pronta ou mecânica com tipo de n, tipo de p ou undoped na orientação diferente (111) ou (100). A antimonite do índio (InSb) é um composto cristalino feito do índio (In) dos elementos e do antimônio (Sb). É um material do semicondutor de estreito-Gap do grupo de III-V usado nos detectores infravermelhos, incluindo câmeras da imagiologia térmica, sistemas do FLIR, sistemas de orientação de direção infravermelhos de míssil, e na astronomia infravermelha. Os detectores da antimonite do índio são sensíveis entre 1-5 comprimentos de onda do µm.

 

Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3", categoria principal

Especificação da bolacha
Artigo Especificações
Diâmetro da bolacha

 

3 ″ 76.2±0.4mm
 

Orientação de cristal

 

″ 3 (111) AorB±0.1°

Espessura

 

3 ″ 800or900±25um
 

Comprimento liso preliminar

 

3 ″ 22±2mm
 

Comprimento liso secundário

 

3 ″ 11±1mm
 

Revestimento de superfície P/E, P/P
Pacote Recipiente da bolacha ou gaveta Epi-pronta, única dos CF

 

Bonde e lubrificando a especificação
Tipo da condução n-tipo
Entorpecente Undoped
Cm2 de EPD ≤50
² V-1s-1 do cm da mobilidade ≥4*105
Concentração de portador cm-3 5*1013-3*1014

Propriedades elétricas da bolacha de InSb

A concentração de estrutura e de portador de faixa de bolacha de InSb inclui parâmetros básicos, mobilidade e de efeito hall, propriedades de transporte em campos bondes altos, ionização de impacto
, Parâmetros da recombinação

 

Parâmetros básicos
Mobilidade e Hall Effect
Propriedades de transporte em campos bondes altos
Ionização de impacto
Parâmetros da recombinação

Parâmetros básicos

Campo da divisão ≈103 V cm-1
Elétrons da mobilidade ≤7.7·104 cm2V-1s-1
Furos da mobilidade ≤850 cm2V-1s-1
Elétrons do coeficiente de difusão ≤2·103 cm2s-1
Furos do coeficiente de difusão ≤22 cm2s-1
Velocidade do thermal do elétron 9,8·105 m s-1
Velocidade do thermal do furo 1,8·105 m s-1

Mobilidade e Hall Effect

Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3

Mobilidade de salão do elétron contra a temperatura para níveis de lubrificação diferentes e relações diferentes da compensação

Curva Nd (cm-3) θ = Na/Nd
1. 3,85·1014 0,5
2. 8,5·1014 0,88
3. 9,5·1014 0,98
4. 1,35·1015 0,99

 

Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 Mobilidade de elétron contra a temperatura (altas temperaturas).
A linha contínua é cálculo teórico para a mobilidade da elétron-tração.
Os dados experimentais são mobilidades de salão.
 

Para o n-InSb puro no ≥ 200K de T:
µnH≈7.7·104 (T/300) - 1,66 (cm2 de V-1 s-1).

Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 Mobilidade de elétron contra a concentração do elétron. T = 300 K
 
Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 Mobilidade de elétron contra a concentração do elétron. T = 77 K
 
Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 O fator de Salão do elétron contra a concentração de portador. T = 77 K
 

 

Mobilidade de elétron máxima para o n-InSb puro
77 K 1,2·106 cm2V-1s-1
300 K 7,7·104 cm2V-1s-1
Mobilidade de elétron máxima para InSb crescido na carcaça do GaAs
77K 1,5·105 cm2V-1s-1 (no= 2,2·1015 cm-3)
300 K 7,0·104 cm2V-1s-1 (no= 2,0·1016 cm-3)
Mobilidade de elétron máxima para InSb crescido na carcaça do InP
77 K 1,1·105 cm2V-1s-1
300 K 7,0·104 cm2V-1s-1

 

Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 Mobilidade de salão do furo contra a temperatura para concentrações de furo diferentes.
po (cm-3):
1. 8·1014;
2. 3,15·1018;
3. 2,5·1019;
 

Para o p-InSb puro em T > 60K:
µpH≈850 (T/300) - 1,8 (cm2V-1s-1)

Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 Mobilidade de salão contra concentrações de furo:
1. 77 K
2. 290K
Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 O fator de Salão do furo contra a concentração de portador, 77 K
 

Propriedades de transporte em campos bondes altos

Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 Dependência da velocidade de tração do elétron, 77 K. do campo.
As linhas contínuas são o cálculo de Monte - de Carlo.
Os pontos são dados experimentais.
 
Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 Coloque a dependência da velocidade de tração do elétron, 77 K.
As linhas contínuas são o cálculo de Monte - de Carlo.
Os pontos são dados experimentais.
 
Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 Fração dos elétrons no L-vale em função do campo bonde F, 77K
 
Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 Dependência da frequência da eficiência no modo do LSA
FO = F + F1sin (2π·ft):
Fo= 2,5 quilovolts de cm-1
 

Ionização de impacto

Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 A dependência da taxa da geração para os elétrons GN contra o campo bonde F, 300 K
 

Para 300 K, para 30 V/cm < F="">

GN (F) = 126·F2exp (F/160) (s-1),

onde F está em V cm-1.

Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 A dependência da taxa da geração para os elétrons GN contra o campo bonde F, 77 K
 
Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 A dependência de taxas da ionização para o αi dos elétrons contra o campo bonde F, T=78 K
 
Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 A dependência da taxa da geração para o gp dos furos contra o campo bonde F, T =77K
 

Parâmetros da recombinação

Para InSb puro na vida de T≥250K do portador (elétrons e furos) é determinado pela recombinação do eixo helicoidal:
τn = τp ≈1/C ni2,
onde C≈5·10-26 cm-6 s-1 são o coeficiente do eixo helicoidal.
o ni é a concentração de portador intrínseco.

Para T = 300 K τn = τp≈5·10-8 s
Para T = 77K
n-tipo: a vida dos furos τp ~ 10-6 s
p-tipo: a vida dos elétrons τn ~ 10-10 s

 

Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 Dependência da temperatura da velocidade de recombinação de superfície para o p-InSb.
 
Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3 Dependência da temperatura da velocidade de recombinação de superfície para o n-InSb.
 

 

Coeficiente Radiative da recombinação ~5·10-11 cm3s-1
Coeficiente do eixo helicoidal ~5·10-26 cm6s-1

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