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Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3", categoria principal
PAM-XIAMEN oferece a bolacha de InSb – antimonite do índio que são crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como a categoria epi-pronta ou mecânica com tipo de n, tipo de p ou undoped na orientação diferente (111) ou (100). A antimonite do índio (InSb) é um composto cristalino feito do índio (In) dos elementos e do antimônio (Sb). É um material do semicondutor de estreito-Gap do grupo de III-V usado nos detectores infravermelhos, incluindo câmeras da imagiologia térmica, sistemas do FLIR, sistemas de orientação de direção infravermelhos de míssil, e na astronomia infravermelha. Os detectores da antimonite do índio são sensíveis entre 1-5 comprimentos de onda do µm.
Undoped, carcaça da antimonite do índio, 3", categoria principal
| Especificação da bolacha | |
| Artigo | Especificações |
| Diâmetro da bolacha |
3 ″ 76.2±0.4mm |
| Orientação de cristal |
″ 3 (111) AorB±0.1° |
| Espessura |
3 ″ 800or900±25um |
| Comprimento liso preliminar |
3 ″ 22±2mm |
| Comprimento liso secundário |
3 ″ 11±1mm |
| Revestimento de superfície | P/E, P/P |
| Pacote | Recipiente da bolacha ou gaveta Epi-pronta, única dos CF |
| Bonde e lubrificando a especificação | |
| Tipo da condução | n-tipo |
| Entorpecente | Undoped |
| Cm2 de EPD | ≤50 |
| ² V-1s-1 do cm da mobilidade | ≥4*105 |
| Concentração de portador cm-3 | 5*1013-3*1014 |
A concentração de estrutura e de portador de faixa de bolacha de InSb inclui parâmetros básicos, mobilidade e de efeito hall, propriedades de transporte em campos bondes altos, ionização de impacto
, Parâmetros da recombinação
Parâmetros básicos
Mobilidade e Hall Effect
Propriedades de transporte em campos bondes altos
Ionização de impacto
Parâmetros da recombinação
| Campo da divisão | ≈103 V cm-1 |
| Elétrons da mobilidade | ≤7.7·104 cm2V-1s-1 |
| Furos da mobilidade | ≤850 cm2V-1s-1 |
| Elétrons do coeficiente de difusão | ≤2·103 cm2s-1 |
| Furos do coeficiente de difusão | ≤22 cm2s-1 |
| Velocidade do thermal do elétron | 9,8·105 m s-1 |
| Velocidade do thermal do furo | 1,8·105 m s-1 |
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Mobilidade de salão do elétron contra a temperatura para níveis de lubrificação diferentes e relações diferentes da compensação
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Mobilidade de elétron contra a temperatura (altas temperaturas). A linha contínua é cálculo teórico para a mobilidade da elétron-tração. Os dados experimentais são mobilidades de salão. |
Para o n-InSb puro no ≥ 200K de T:
µnH≈7.7·104 (T/300) - 1,66 (cm2 de V-1 s-1).
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Mobilidade de elétron contra a concentração do elétron. T = 300 K |
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Mobilidade de elétron contra a concentração do elétron. T = 77 K |
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O fator de Salão do elétron contra a concentração de portador. T = 77 K |
| Mobilidade de elétron máxima para o n-InSb puro | |
| 77 K | 1,2·106 cm2V-1s-1 |
| 300 K | 7,7·104 cm2V-1s-1 |
| Mobilidade de elétron máxima para InSb crescido na carcaça do GaAs | |
| 77K | 1,5·105 cm2V-1s-1 (no= 2,2·1015 cm-3) |
| 300 K | 7,0·104 cm2V-1s-1 (no= 2,0·1016 cm-3) |
| Mobilidade de elétron máxima para InSb crescido na carcaça do InP | |
| 77 K | 1,1·105 cm2V-1s-1 |
| 300 K | 7,0·104 cm2V-1s-1 |
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Mobilidade de salão do furo contra a temperatura para concentrações de furo diferentes. po (cm-3): 1. 8·1014; 2. 3,15·1018; 3. 2,5·1019; |
Para o p-InSb puro em T > 60K:
µpH≈850 (T/300) - 1,8 (cm2V-1s-1)
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Mobilidade de salão contra concentrações de furo: 1. 77 K 2. 290K |
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O fator de Salão do furo contra a concentração de portador, 77 K |
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Dependência da velocidade de tração do elétron, 77 K. do campo. As linhas contínuas são o cálculo de Monte - de Carlo. Os pontos são dados experimentais. |
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Coloque a dependência da velocidade de tração do elétron, 77 K. As linhas contínuas são o cálculo de Monte - de Carlo. Os pontos são dados experimentais. |
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Fração dos elétrons no L-vale em função do campo bonde F, 77K |
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Dependência da frequência da eficiência no modo do LSA FO = F + F1sin (2π·ft): Fo= 2,5 quilovolts de cm-1 |
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A dependência da taxa da geração para os elétrons GN contra o campo bonde F, 300 K |
Para 300 K, para 30 V/cm < F="">
GN (F) = 126·F2exp (F/160) (s-1),
onde F está em V cm-1.
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A dependência da taxa da geração para os elétrons GN contra o campo bonde F, 77 K |
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A dependência de taxas da ionização para o αi dos elétrons contra o campo bonde F, T=78 K |
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A dependência da taxa da geração para o gp dos furos contra o campo bonde F, T =77K |
Para InSb puro na vida de T≥250K do portador (elétrons e furos) é determinado pela recombinação do eixo helicoidal:
τn = τp ≈1/C ni2,
onde C≈5·10-26 cm-6 s-1 são o coeficiente do eixo helicoidal.
o ni é a concentração de portador intrínseco.
| Para T = 300 K | τn = τp≈5·10-8 s |
| Para T = 77K | |
| n-tipo: a vida dos furos | τp ~ 10-6 s |
| p-tipo: a vida dos elétrons | τn ~ 10-10 s |
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Dependência da temperatura da velocidade de recombinação de superfície para o p-InSb. |
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Dependência da temperatura da velocidade de recombinação de superfície para o n-InSb. |
| Coeficiente Radiative da recombinação | ~5·10-11 cm3s-1 |
| Coeficiente do eixo helicoidal | ~5·10-26 cm6s-1 |
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