XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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PAM-XIAMEN oferece a bolacha de GaSb do semicondutor composto – antimonieto de gálio que são crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como a categoria epi-pronta ou mecânica com tipo de n, tipo de p ou semi-isolamento na orientação diferente (111) ou (100).
O antimonieto de gálio (GaSb) é um composto semiconducting do gálio e do antimônio da família de III-V. Tem uma constante da estrutura de aproximadamente 0,61 nanômetros. GaSb pode ser usado para os detectores infravermelhos, o diodo emissor de luz e os lasers infravermelhos e os transistor, e sistemas thermophotovoltaic.
Está aqui a especificação de detalhe:
especificação da bolacha de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
especificação da bolacha de GaSb de 3 ″ (50.8mm)
especificação da bolacha de GaSb de 4 ″ (100mm)
especificação da bolacha de GaSb de 2 ″
| Artigo | Especificações | ||
| Entorpecente | Undoped | Zinco | Telúrio |
| Tipo da condução | P-tipo | P-tipo | N-tipo |
| Diâmetro da bolacha | 2 ″ | ||
| Orientação da bolacha | (100) ±0.5° | ||
| Espessura da bolacha | 500±25um | ||
| Comprimento liso preliminar | 16±2mm | ||
| Comprimento liso secundário | 8±1mm | ||
| Concentração de portador | (1-2) x1017cm-3 | (5-100) x1017cm-3 | (1-20) x1017cm-3 |
| Mobilidade | 600-700cm2/V.s | 200-500cm2/V.s | 2000-3500cm2/V.s |
| EPD | <2>3cm2 | ||
| TTV | <10um> | ||
| CURVA | <10um> | ||
| URDIDURA | <12um> | ||
| Marcação do laser | mediante solicitação | ||
| Revestimento de Suface | P/E, P/P | ||
| Epi pronto | sim | ||
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | ||
especificação da bolacha de GaSb de 3 ″
| Artigo | Especificações | ||
| Tipo da condução | P-tipo | P-tipo | N-tipo |
| Entorpecente | Undoped | Zinco | Telúrio |
| Diâmetro da bolacha | 3 ″ | ||
| Orientação da bolacha | (100) ±0.5° | ||
| Espessura da bolacha | 600±25um | ||
| Comprimento liso preliminar | 22±2mm | ||
| Comprimento liso secundário | 11±1mm | ||
| Concentração de portador | (1-2) x1017cm-3 | (5-100) x1017cm-3 | (1-20) x1017cm-3 |
| Mobilidade | 600-700cm2/V.s | 200-500cm2/V.s | 2000-3500cm2/V.s |
| EPD | <2>3cm2 | ||
| TTV | <12um> | ||
| CURVA | <12um> | ||
| URDIDURA | <15um> | ||
| Marcação do laser | mediante solicitação | ||
| Revestimento de Suface | P/E, P/P | ||
| Epi pronto | sim | ||
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | ||
especificação da bolacha de GaSb de 4 ″
| Artigo | Especificações | ||
| Entorpecente | Undoped | Zinco | Telúrio |
| Tipo da condução | P-tipo | P-tipo | N-tipo |
| Diâmetro da bolacha | 4 ″ | ||
| Orientação da bolacha | (100) ±0.5° | ||
| Espessura da bolacha | 800±25um | ||
| Comprimento liso preliminar | 32.5±2.5mm | ||
| Comprimento liso secundário | 18±1mm | ||
| Concentração de portador | (1-2) x1017cm-3 | (5-100) x1017cm-3 | (1-20) x1017cm-3 |
| Mobilidade | 600-700cm2/V.s | 200-500cm2/V.s | 2000-3500cm2/V.s |
| EPD | <2>3cm2 | ||
| TTV | <15um> | ||
| CURVA | <15um> | ||
| URDIDURA | <20um> | ||
| Marcação do laser | mediante solicitação | ||
| Revestimento de Suface | P/E, P/P | ||
| Epi pronto | sim | ||
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha | ||
1)″ 2 (50.8mm), bolacha de GaSb de 3 ″ (76.2mm)
Orientação: (100) ±0.5°
Espessura (μm): 500±25; 600±25
Tipo/entorpecente: P/undoped; P/Si; P/Zn
Nc (cm-3): (1~2) E17
Mobilidade (cm2/V ·s): 600~700
Método do crescimento: CZ
Polonês: SSP
2)bolacha de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientação: (100) ±0.5°
Espessura (μm): 500±25; 600±25
Tipo/entorpecente: N/undoped; P/Te
Nc (cm-3): (1~5) E17
Mobilidade (cm2/V ·s): 2500~3500
Método do crescimento: LEC
Polonês: SSP
3)bolacha de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientação: (111) A±0.5°
Espessura (μm): 500±25
Tipo/entorpecente: N/Te; P/Zn
Nc (cm-3): (1~5) E17
Mobilidade (cm2/V ·s): 2500~3500; 200~500
Método do crescimento: LEC
Polonês: SSP
4)bolacha de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientação: (111) B±0.5°
Espessura (μm): 500±25; 450±25
Tipo/entorpecente: N/Te; P/Zn
Nc (cm-3): (1~5) E17
Mobilidade (cm2/V ·s): 2500~3500; 200~500
Método do crescimento: LEC
Polonês: SSP
5)bolacha de GaSb de 2 ″ (50.8mm)
Orientação: (111) B 2deg.off
Espessura (μm): 500±25
Tipo/entorpecente: N/Te; P/Zn
Nc (cm-3): (1~5) E17
Mobilidade (cm2/V ·s): 2500~3500; 200~500
Método do crescimento: LEC
Polonês: SSP
Produtos relativos:
Bolacha de InAs
Bolacha de InSb
Bolacha do InP
Bolacha do GaAs
Bolacha de GaSb
Bolacha de Gap
O antimonieto de gálio (GaSb) pode ser fornecido como bolachas com os revestimentos do como-corte, gravada ou lustrado e está disponível em uma vasta gama de concentração, de diâmetro e de espessura de portador.
O material de GaSb apresenta propriedades interessantes para dispositivos thermophotovoltaic de (TPV) da única junção. GaSb: O único cristal de Te crescido com Czochralski (Cz) ou métodos alterados do chralski de Czo- (Mo-CZ) é apresentado e o problema da homogeneidade de Te é discutido. Porque a mobilidade de portador é um dos pontos-chave para o cristal maioria, as medidas de Salão são realizadas. Nós apresentamos aqui alguns desenvolvimentos complementares baseados no ponto de vista do processamento material: o crescimento de cristal maioria, a preparação da bolacha, e gravura a água-forte da bolacha. As etapas subsequentes após estes são relacionadas ao p/nenhuma elaboração da junção de r n/p. Alguns resultados obtidos para aproximações diferentes da elaboração da fino-camada são apresentados. Assim do processo de difusão simples da fase de vapor ou do processo líquido da epitaxia da fase até o processo orgânico do depósito de vapor químico do metal nós relatamos alguma especificidade material.