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Bolacha Undoped do antimonieto de gálio, 3", bolacha do Como-corte, bolacha mecânica, ou bolacha lustrada
PAM-XIAMEN fornece o crescimento da bolacha de GaSb do único cristal (antimonieto de gálio) pelo método encapsulado líquido de Czochralski (LEC). GaSb (antimonieto de gálio) pode ser fornecido como bolachas com os revestimentos do como-corte, gravada ou lustrado e está disponível em uma vasta gama de concentração, de diâmetro e de espessura de portador. PAM-XIAMEN pode fornecer a bolacha pronta de GaSb da categoria do epi para sua aplicação epitaxial do MOCVD & do MBE. Contacte por favor nossa equipe do coordenador para mais informação da bolacha.
3" especificação da bolacha de GaSb
Artigo | Especificações |
Tipo da condução | P-tipo |
Entorpecente | Undoped |
Diâmetro da bolacha | 3" |
Orientação da bolacha | (100) ±0.5° |
Espessura da bolacha | 600±25um |
Comprimento liso preliminar | 22±2mm |
Comprimento liso secundário | 11±1mm |
Concentração de portador | (1-2) x1017cm-3 |
Mobilidade | 600-700cm2/V.s |
EPD | <2x10>3cm-2 |
TTV | <12um> |
CURVA | <12um> |
URDIDURA | <15um> |
Marcação do laser | mediante solicitação |
Revestimento de Suface | P/E, P/P |
Epi pronto | sim |
Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha |
Propriedades óticas da bolacha de GaSb
Índice de refração | 3,8 |
Coeficiente Radiative da recombinação | ~ 10-10 cm3s-1 |
R.I. infravermelho
n = k1/2≈3.71·(1+8.25·10-5T)
Longo-onda ao hνTO da energia do fonão = meV 27,78 (300 K).
hνLO da energia do fonão da Longo-onda LO = meV 28,89 (300 K).
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R.I. n contra a energia do fotão, 300 K |
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Refletividade contra a energia do fotão, 300 K |
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Coeficiente de absorção intrínseco perto do limite de absorção intrínseco no p-tipo puro amostras. T (K): 1. 300, 2. 77, 3. 4,2 |
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Limite de absorção intrínseco no p-tipo GaSb. Na = 3·1019 cm-3; T (K): 1. 215; 2. 140; 3. 77 |
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Limite de absorção intrínseco em 77 K para níveis de lubrificação diferentes, p-GaSb. Na (cm-3): 1. 2,9·1017; 2. 5·1018; 3. 1,8·1019; 4. 3·1019 |
Uma energia de Rydberg do estado à terra RX1 = meV 2,8.
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O coeficiente de absorção contra a energia do fotão, T=300 K |
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A absorção da impureza nas baixas energias do fotão, T=80 K Amostra Undoped (p = 2,4·1017 cm-3 em 300 K) Te adicionou (p = 7,5·1016 cm-3) SE adicionado (p = 4,1·1016 cm-3) |
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