XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
Dos Estados-activa
6 Anos
Casa / Produtos / GaSb Wafer /

A bolacha Undoped do antimonieto de gálio, 3", como - corte a bolacha, a bolacha mecânica, ou a bolacha lustrada

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XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
Cidade:xiamen
Província / Estado:fujian
País / Região:china
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A bolacha Undoped do antimonieto de gálio, 3", como - corte a bolacha, a bolacha mecânica, ou a bolacha lustrada

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Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :1-10,000pcs
Termos do pagamento :T/T.
Capacidade da fonte :10.000 bolachas/mês
Tempo de entrega :5-50 dias de trabalho
Nome do produto :bolacha do antimonieto de gálio
Tipo da condução :Tipo de P
Entorpecente :Undoped
Espessura da bolacha :600±25um
O outro nome :Bolacha mecânica de GaSb
Diâmetro da bolacha :3"
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Bolacha Undoped do antimonieto de gálio, 3", bolacha do Como-corte, bolacha mecânica, ou bolacha lustrada

PAM-XIAMEN fornece o crescimento da bolacha de GaSb do único cristal (antimonieto de gálio) pelo método encapsulado líquido de Czochralski (LEC). GaSb (antimonieto de gálio) pode ser fornecido como bolachas com os revestimentos do como-corte, gravada ou lustrado e está disponível em uma vasta gama de concentração, de diâmetro e de espessura de portador. PAM-XIAMEN pode fornecer a bolacha pronta de GaSb da categoria do epi para sua aplicação epitaxial do MOCVD & do MBE. Contacte por favor nossa equipe do coordenador para mais informação da bolacha.


3" especificação da bolacha de GaSb

Artigo Especificações
Tipo da condução P-tipo
Entorpecente Undoped
Diâmetro da bolacha 3"
Orientação da bolacha (100) ±0.5°
Espessura da bolacha 600±25um
Comprimento liso preliminar 22±2mm
Comprimento liso secundário 11±1mm
Concentração de portador (1-2) x1017cm-3
Mobilidade 600-700cm2/V.s
EPD <2x10>3cm-2
TTV <12um>
CURVA <12um>
URDIDURA <15um>
Marcação do laser mediante solicitação
Revestimento de Suface P/E, P/P
Epi pronto sim
Pacote Única recipiente ou gaveta da bolacha

 

Propriedades óticas da bolacha de GaSb

 

Índice de refração 3,8
Coeficiente Radiative da recombinação ~ 10-10 cm3s-1

R.I. infravermelho
n = k1/2≈3.71·(1+8.25·10-5T)

Longo-onda ao hνTO da energia do fonão = meV 27,78 (300 K).
hνLO da energia do fonão da Longo-onda LO = meV 28,89 (300 K).

A bolacha Undoped do antimonieto de gálio, 3 R.I. n contra a energia do fotão, 300 K
 
A bolacha Undoped do antimonieto de gálio, 3 Refletividade contra a energia do fotão, 300 K
 
A bolacha Undoped do antimonieto de gálio, 3 Coeficiente de absorção intrínseco perto do limite de absorção intrínseco no p-tipo puro amostras.
T (K): 1. 300, 2. 77, 3. 4,2
 
A bolacha Undoped do antimonieto de gálio, 3 Limite de absorção intrínseco no p-tipo GaSb.
Na = 3·1019 cm-3;
T (K): 1. 215; 2. 140; 3. 77
 
A bolacha Undoped do antimonieto de gálio, 3 Limite de absorção intrínseco em 77 K para níveis de lubrificação diferentes, p-GaSb.
Na (cm-3): 1. 2,9·1017; 2. 5·1018; 3. 1,8·1019; 4. 3·1019
 

Uma energia de Rydberg do estado à terra RX1 = meV 2,8.

A bolacha Undoped do antimonieto de gálio, 3 O coeficiente de absorção contra a energia do fotão, T=300 K
 
A bolacha Undoped do antimonieto de gálio, 3 A absorção da impureza nas baixas energias do fotão, T=80 K
Amostra Undoped (p = 2,4·1017 cm-3 em 300 K)
Te adicionou (p = 7,5·1016 cm-3)
SE adicionado (p = 4,1·1016 cm-3)
 

 

Você está procurando uma bolacha de GaSb?

PAM-XIAMEN é seu ir-ao lugar para tudo bolachas, incluindo bolachas de GaSb, como nós o temos feito por quase 30 anos! Inquira-nos hoje para aprender mais sobre as bolachas que nós oferecemos e como nós podemos o ajudar com seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!

 

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