XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.

XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.

Manufacturer from China
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N datilografa, a carcaça condutora alta de GaSb, 3", categoria do manequim

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XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
Cidade:xiamen
Província / Estado:fujian
País / Região:china
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N datilografa, a carcaça condutora alta de GaSb, 3", categoria do manequim

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Lugar de origem :China
Quantidade de ordem mínima :1-10,000pcs
Termos do pagamento :T/T.
Capacidade da fonte :10.000 bolachas/mês
Tempo de entrega :5-50 dias de trabalho
Nome do produto :Bolacha de GaSb
Tipo da condução :Tipo de N
Entorpecente :telúrio
Grau :Categoria do manequim
O outro nome :bolacha do antimonieto de gálio
Diâmetro da bolacha :3"
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N datilografa, a carcaça condutora alta de GaSb, 3", categoria do manequim

 

PAM-XIAMEN oferece a bolacha de GaSb – antimonieto de gálio que são crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como a categoria epi-pronta ou mecânica com tipo de n, tipo de p ou semi-isolamento na orientação diferente (111) ou (100).

O antimonieto de gálio (GaSb) é um composto semiconducting do gálio e do antimônio da família de III-V. Tem uma constante da estrutura de aproximadamente 0,61 nanômetros. GaSb pode ser usado para os detectores infravermelhos, o diodo emissor de luz e os lasers infravermelhos e os transistor, e sistemas thermophotovoltaic.

 

3" especificação da bolacha de GaSb

Artigo Especificações
Tipo da condução N-tipo
Entorpecente Telúrio
Diâmetro da bolacha 3"
Orientação da bolacha (100) ±0.5°
Espessura da bolacha 600±25um
Comprimento liso preliminar 22±2mm
Comprimento liso secundário 11±1mm
Concentração de portador (1-20) x1017cm-3
Mobilidade 2000-3500cm2/V.s
EPD <2x10>3cm-2
TTV <12um>
CURVA <12um>
URDIDURA <15um>
Marcação do laser mediante solicitação
Revestimento de Suface P/E, P/P
Epi pronto sim
Pacote Única recipiente ou gaveta da bolacha

 

Propriedades óticas da bolacha de GaSb

 

Índice de refração 3,8
Coeficiente Radiative da recombinação ~ 10-10 cm3s-1

R.I. infravermelho
n = k1/2≈3.71·(1+8.25·10-5T)

Longo-onda ao hνTO da energia do fonão = meV 27,78 (300 K).
hνLO da energia do fonão da Longo-onda LO = meV 28,89 (300 K).

N datilografa, a carcaça condutora alta de GaSb, 3 R.I. n contra a energia do fotão, 300 K
 
N datilografa, a carcaça condutora alta de GaSb, 3 Refletividade contra a energia do fotão, 300 K
 
N datilografa, a carcaça condutora alta de GaSb, 3 Coeficiente de absorção intrínseco perto do limite de absorção intrínseco no p-tipo puro amostras.
T (K): 1. 300, 2. 77, 3. 4,2
 
N datilografa, a carcaça condutora alta de GaSb, 3 Limite de absorção intrínseco no p-tipo GaSb.
Na = 3·1019 cm-3;
T (K): 1. 215; 2. 140; 3. 77
 
N datilografa, a carcaça condutora alta de GaSb, 3 Limite de absorção intrínseco em 77 K para níveis de lubrificação diferentes, p-GaSb.
Na (cm-3): 1. 2,9·1017; 2. 5·1018; 3. 1,8·1019; 4. 3·1019
 

Uma energia de Rydberg do estado à terra RX1 = meV 2,8.

N datilografa, a carcaça condutora alta de GaSb, 3 O coeficiente de absorção contra a energia do fotão, T=300 K
 
N datilografa, a carcaça condutora alta de GaSb, 3 A absorção da impureza nas baixas energias do fotão, T=80 K
Amostra Undoped (p = 2,4·1017 cm-3 em 300 K)
Te adicionou (p = 7,5·1016 cm-3)
SE adicionado (p = 4,1·1016 cm-3)
 

 

Você está procurando uma carcaça de GaSb?

PAM-XIAMEN é orgulhoso oferecer a carcaça do antimonieto de gálio para todos os tipos diferentes dos projetos. Se você está procurando bolachas de GaSb, envie-nos o inquérito hoje para aprender mais sobre como nós podemos trabalhar com você para lhe obter as bolachas que de GaSb você precisa para seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo está olhando para a frente a proporcionar produtos de qualidade e o serviço excelente para você!

 

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