XIAMEN POWERWAY AVANÇOU CO. MATERIAL, LTD.
XIAMEN POWERWAY ADVANCED MATERIAL CO., LTD.
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N datilografa, a carcaça condutora alta de GaSb, 3", categoria do manequim
PAM-XIAMEN oferece a bolacha de GaSb – antimonieto de gálio que são crescidos por LEC (Czochralski encapsulado líquido) como a categoria epi-pronta ou mecânica com tipo de n, tipo de p ou semi-isolamento na orientação diferente (111) ou (100).
O antimonieto de gálio (GaSb) é um composto semiconducting do gálio e do antimônio da família de III-V. Tem uma constante da estrutura de aproximadamente 0,61 nanômetros. GaSb pode ser usado para os detectores infravermelhos, o diodo emissor de luz e os lasers infravermelhos e os transistor, e sistemas thermophotovoltaic.
3" especificação da bolacha de GaSb
| Artigo | Especificações |
| Tipo da condução | N-tipo |
| Entorpecente | Telúrio |
| Diâmetro da bolacha | 3" |
| Orientação da bolacha | (100) ±0.5° |
| Espessura da bolacha | 600±25um |
| Comprimento liso preliminar | 22±2mm |
| Comprimento liso secundário | 11±1mm |
| Concentração de portador | (1-20) x1017cm-3 |
| Mobilidade | 2000-3500cm2/V.s |
| EPD | <2x10>3cm-2 |
| TTV | <12um> |
| CURVA | <12um> |
| URDIDURA | <15um> |
| Marcação do laser | mediante solicitação |
| Revestimento de Suface | P/E, P/P |
| Epi pronto | sim |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha |
Propriedades óticas da bolacha de GaSb
| Índice de refração | 3,8 |
| Coeficiente Radiative da recombinação | ~ 10-10 cm3s-1 |
R.I. infravermelho
n = k1/2≈3.71·(1+8.25·10-5T)
Longo-onda ao hνTO da energia do fonão = meV 27,78 (300 K).
hνLO da energia do fonão da Longo-onda LO = meV 28,89 (300 K).
 |
R.I. n contra a energia do fotão, 300 K |
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Refletividade contra a energia do fotão, 300 K |
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Coeficiente de absorção intrínseco perto do limite de absorção intrínseco no p-tipo puro amostras. T (K): 1. 300, 2. 77, 3. 4,2 |
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Limite de absorção intrínseco no p-tipo GaSb. Na = 3·1019 cm-3; T (K): 1. 215; 2. 140; 3. 77 |
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Limite de absorção intrínseco em 77 K para níveis de lubrificação diferentes, p-GaSb. Na (cm-3): 1. 2,9·1017; 2. 5·1018; 3. 1,8·1019; 4. 3·1019 |
Uma energia de Rydberg do estado à terra RX1 = meV 2,8.
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O coeficiente de absorção contra a energia do fotão, T=300 K |
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A absorção da impureza nas baixas energias do fotão, T=80 K Amostra Undoped (p = 2,4·1017 cm-3 em 300 K) Te adicionou (p = 7,5·1016 cm-3) SE adicionado (p = 4,1·1016 cm-3) |
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