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Bolacha do germânio do único cristal (Ge)
Materiais do semicondutor PAM-XIAMENoffers, cristais e bolachas do Ge (germânio) únicos crescidos por VGF/LEC
Propriedades gerais da bolacha do germânio
| Estrutura geral das propriedades | Cúbico, a = 5,6754 Å | ||
| Densidade: 5,765 g/cm3 | |||
| Ponto de derretimento: 937,4 OC | |||
| Condutibilidade térmica: 640 | |||
| Tecnologia do crescimento de cristal | Czochralski | ||
| Lubrificação disponível | Undoped | Lubrificação do Sb | Lubrificação dentro ou GA |
| Tipo condutor | / | N | P |
| Resistividade, ohm.cm | >35 | < 0=""> | 0,05 – 0,1 |
| EPD | < 5=""> | < 5=""> | < 5=""> |
| < 5=""> | < 5=""> | < 5=""> | |
Categorias e aplicação da bolacha do germânio
| Categoria eletrônica | Usado para diodos e transistor, |
| Categoria infravermelha ou opitical | Usado para a janela ótica ou os discos do IR, componentes opitical |
| Categoria da pilha | Usado para carcaças da célula solar |
Especs. do padrão do cristal e da bolacha do germânio
| Orientação de cristal | <111>, <100> e <110> ± 0.5o ou orientação feita sob encomenda | |||
| Boule de cristal como crescido | 1 ″ ~ diâmetro x de 6 ″ um comprimento de 200 milímetros | |||
| Placa padrão como cortada | 1 ″ x 0.5mm | 2 ″ x0.6mm | 4 ″ x0.7mm | 5 ″ x0.8mm do ″ &6 |
| Bolacha lustrada padrão (uns/dois lados lustrados) | 1 ″ x 0,30 milímetros | 2 ″ x0.5mm | 4 ″ x0.5mm | 5 ″ x0.6mm do ″ &6 |
O tamanho e a orientação especiais estão disponíveis em cima das bolachas pedidas
Especificação da bolacha do germânio
| Artigo | Especificações | Observações |
| Método do crescimento | VGF | |
| Tipo da condução | n-tipo, tipo de p, undoped | |
| Entorpecente | Gálio ou antimônio | |
| Bolacha Diamter | 2, 3,4 & 6 | polegada |
| Orientação de cristal | (100), (111), (110) | |
| Espessura | 200~550 | um |
| DE | EJ ou E.U. | |
| Concentração de portador | pedido em cima dos clientes | |
| Resistividade no RT | (0.001~80) | Ohm.cm |
| Densidade do poço gravura em àgua forte | <5000> | /cm2 |
| Marcação do laser | mediante solicitação | |
| Revestimento de superfície | P/E ou P/P | |
| Epi pronto | Sim | |
| Pacote | Única recipiente ou gaveta da bolacha |
| especificação da bolacha de 4 Ge da polegada | para células solares | |
| Lubrificação | P | |
| Lubrificando substâncias | GE-GA | |
| Diâmetro | 100±0.25 milímetro | |
| Orientação | (100) 9° fora para <111>+/--0,5 | |
| ângulo de inclinação da Fora-orientação | N/A | |
| Orientação lisa preliminar | N/A | |
| Comprimento liso preliminar | 32±1 | milímetro |
| Orientação lisa secundária | N/A | |
| Comprimento liso secundário | N/A | milímetro |
| centímetro cúbico | (0.26-2.24) E18 | /c.c |
| Resistividade | (0.74-2.81) E-2 | ohm.cm |
| Mobilidade de elétron | 382-865 | cm2/v.s. |
| EPD | <300> | /cm2 |
| Laser Mark | N/A | |
| Espessura | 175±10 | μm |
| TTV | <15 | μm |
| TIR | N/A | μm |
| CURVA | <10> | μm |
| Urdidura | <10 | μm |
| Cara dianteira | Lustrado | |
| Cara traseira | Terra | |
Processo da bolacha do germânio
No processo de produção da bolacha do germânio, o dióxido do germânio do processamento do resíduo é refinado mais em etapas da cloração e da hidrólise.
1)O germânio da pureza alta é obtido durante a refinação da zona.
2)Um cristal do germânio é produzido através do processo de Czochralski.
3)A bolacha do germânio é fabricada através de diversos corte, moendo, e gravando etapas.
4)As bolachas são limpadas e inspeção. Durante este processo, as bolachas são único lado lustrado ou o lado dobro lustrado de acordo com a disposição alfandegária, bolacha epi-pronta vem.
5)As bolachas são embaladas em uns únicos recipientes da bolacha, sob uma atmosfera do nitrogênio.
Aplicação:
A placa ou a janela do germânio são usadas na visão noturna e em soluções thermographic da imagem latente para a segurança comercial, a luta contra o incêndio e o equipamento de monitoração industrial. Também, são usados como filtros para analítico e equipamento de medição, janelas para a medida remota da temperatura, e espelhos para lasers.
As carcaças finas do germânio são usadas em células solares da triplo-junção de III-V e para sistemas concentrados poder do picovolt (CPV).