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4 polegadas CZ aprontam a bolacha de silicone com isolamento da espessura de filme térmica 300nm da oxidação 4"
O tamanho da bolacha do dióxido de silicone da oferta de PAM-XIAMEN (óxido térmico (SiO2) em bolachas de silicone) de 2" a 6" ocorrido de 850°C até 1200°C, as camadas do filme SiO2 fino na carcaça é usado principalmente como o material dielétrico e mais recentemente, que são integradas em dispositivos de MEMS (micro eletro sistemas mecânicos)., atualmente a maneira a mais simples de produzir camadas do óxido de silicone em bolachas de silicone é oxidar o silicone com oxigênio. Geralmente, a oxidação térmica é feita em ambas as caras de uma bolacha de silicone. Para obter somente um lado oxidado, uma proteção é usada, a seguir o lado oposto é dissolvido em BHF. Enquanto a oxidação térmica está feita por uma corrida de 25 a 50 bolachas e a dissolução está feita a bolacha pela bolacha; as bolachas laterais dobro e únicas do óxido de silicone podem ser compradas no mesmo grupo.
4inch CZ aprontam a bolacha de silicone com isolamento da espessura de filme térmica 300nm da oxidação 4"
| Tipo | Tipo da condução | Orientação | Diâmetro (milímetros) | Resistividade (Ω•cm) |
| CZ | N&P | <100><110>&<111> | 50-300 | 1-300 |
| MCZ | N&P | <100><110>&<111> | 50-200 | 1-300 |
| Pesado-lubrificação | N&P | <100><110>&<111> | 50-200 | 0.001-1 |
| Parâmetro | Unidade | Valor |
| Estrutura cristalina | - | Monocrystalline |
| Técnica do crescimento | - | CZ |
| Orientação de cristal | - | 100±0.5° |
| Tipo da condutibilidade | - | P |
| Entorpecente | - | Boro |
| Diâmetro | milímetro | 100 |
| Resistividade | Ω/cm2 | >10Ωcm |
| Espessura | um | 675 ± 25µm |
| TTV | um | ≤15 um |
| Urdidura | um | ≤35 um |
| AGITAÇÃO (G) | um | Padrão do cliente |
| Nivelamento-AGITAÇÃO do local | um | Padrão do cliente |
| Zona de exclusão da borda | milímetro | SEMI STD ou pedido do cliente |
| LPD | - | 0.3µm, |
| Concentração de oxigênio | ppma | <1e16> |
| Concentração do carbono | ppma | <1e16> |
| RRG | - | ≤15% |
| Superfície dianteira | - | Lustrado |
| Superfície traseira | - | Lustrado |
| Condição de superfície da borda | SEMI STD ou pedido do cliente | |
| Comprimento liso preliminar | milímetro | SEMI STD |
| Orientação lisa preliminar (100/111) & ângulo (°) | SEMI STD | |
| Comprimento liso secundário | milímetro | SEMI STD |
| Orientação lisa secundária (100/111) & ângulo (°) | SEMI STD | |
| Marca do laser | - | SEMI STD ou pedido do cliente |
| A espessura de filme térmica de isolamento 300nm da oxidação | ||
| Empacotamento | Empacotado em um ambiente do quarto desinfetado da classe 100, sacos exteriores plásticos Calor-selados folha interna/de alumínio, Embalagem do vácuo |
|
| Se específico a exigência pelo cliente, ajustará em conformidade | ||
Como o óxido térmico é aplicado às bolachas de silicone?
Regularmente há uma aplicação de três detalhes:
oxidação 1/Grown seca - o óxido seco é crescido à revelia em apenas um lado da bolacha.
a oxidação 2/Wet crescida - acene a tecnologia dos guias e o silicone nas bolachas do isolador (SOI) pode tirar proveito extremamente de nossas camadas térmicas grossas do óxido. Nós fornecemos o óxido térmico até 15um na espessura. Crescido em ambos os lados das bolachas à revelia.
CVD 3/Deposited - quando você não puder oxidar o silicone, a seguir você pode usar o depósito de vapor químico para depositar o óxido sobre sua carcaça.
Você está procurando uma bolacha de silicone?
PAM-XIAMEN é seu ir-ao lugar para bolachas de semicondutor, incluindo bolachas de silicone, como nós o temos feito por quase 30 anos! Envie-nos o inquérito para aprender mais sobre as bolachas que nós oferecemos e como nós podemos o ajudar com seu projeto seguinte. Nossa equipe do grupo pode dar-lhe o apoio de tecnologia. envie-nos o e-mail em sales@powerwaywafer.com ou em powerwaymaterial@gmail.com