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IGBT discreto

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Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd

Cidade:wuxi

Província / Estado:jiangsu

País / Região:china

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Modulo de alimentação OEM IGBT 1200V 300A Modulo de meia ponte DS-SPS300B12G6M4-S04020025

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Número do modelo :SPS300B12G6M4

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A partir de 1 de janeiro de 2016, a taxa de produção de energia solar deve ser de 0,15% do consumo total de energia solar.

1200 V 300A IGBT Metade. Ponte Modulo

Características:

D Tecnologia de travagem de 1200 V

□ Diodos de roda livre com recuperação reversa rápida e suave

□ V_{CE (sat)}com coeficiente de temperatura positivo

□ Baixas perdas de mudança

Tipico Aplicações:

□ Aquecimento por indução

□ Soldadura

□ Aplicações de comutação de alta frequência

Pacote

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Tensão de ensaio de isolamento	VISOL	RMS, f = 50 Hz, t = 1 min		4.0			kV
Material da placa base do módulo				Cu
Isolamento interno		(classe 1, CEI 61140) Isolamento básico (classe 1, CEI 61140)		Al₂O₃
Distância de arrasto	- Esquece.	Terminal para o dissipador de calor		29.0			mm
	- Esquece.	terminal para terminal		23.0
Autorização	Desaparecido	Terminal para o dissipador de calor		23.0			mm
	Desaparecido	terminal para terminal		11.0
Índice de acompanhamento comparativo	CTI			> 400

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Módulo de indutividade desviada	LsCE				20		nH
Resistência ao chumbo do módulo, terminais - chip	RCC+EE		T_C= 25°C		0.70		mΩ
Temperatura de armazenamento	Tstg			- 40		125	°C
Torque de montagem para montagem de módulos	M6			3.0		6.0	Nm
Torque de ligação do terminal	M6			2.5		5.0	Nm
Peso	G				320		g

IGBT

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem do colector-emissor	VCES		T_vj= 25°C	1200	V
Voltagem máxima do emissor da porta	VGES			± 20	V
Voltagem transitória do portão-emissor	VGES	t_p≤ 10 μs, D=0.01		± 30	V
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C		T_C= 25°C	400	A
Corrente contínua do colector de CC	Eu..._C		T_C= 100°C	300	A
Corrente pulsada do colector,tp limitada por T_jmax	ICimpulso			600	A
Dissipação de energia	Ptot			1500	W

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
Ponto	Símbolo	Condições		Minha.	Tipo.	Max. - O quê?	Unidade
Voltagem de saturação do colector-emissor	VCE (sat)	Eu..._C= 300A, V_GE=15V	T_vj= 25°C		1.50	1.80	V
			T_vj= 125°C		1.65
			T_vj= 150°C		1.70
Tensão de limiar de entrada	VGE (th)	V_CE=V_GEEu..._C= 12mA		5.0	5.8	6.5	V
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 25°C			100	μA
Corrente de corte colector-emissor	ICES	V_CE=1200V, V_GE=0V	T_vj= 150°C			5	mA
Corrente de fuga do emissor da porta	IGES	V_CE=0V,V_GE=±20V, T_vj= 25°C		- Duzentos.		200	nA
Taxa de entrada	Q_G	V_CE= 600 V, I_C= 300A, V_GE=±15V			3.2		μC
Capacidade de entrada	- Não.	V_CE= 25V, V_GE=0V, f =100kHz			60.0		nF
Capacidade de saída	Coes				1.89
Capacidade de transferência reversa	Cres				0.54
Resistência interna da porta	RGint	T_vj= 25°C			1.2		Ó
Tempo de atraso de activação, carga indutiva	Td (em)	V_CC= 600 V,I_C= 300A R_G=1,8Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		130		n
			T_vj= 125°C		145		n
			T_vj= 150°C		145		n
Tempo de ascensão, carga indutiva	t_r		T_vj= 25°C		60		n
			T_vj= 125°C		68		n
			T_vj= 150°C		68		n
Tempo de atraso de desligamento, carga indutiva	td (desligado)	V_CC= 600 V,I_C= 300A R_G=1,8Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		504		n
			T_vj= 125°C		544		n
			T_vj= 150°C		544		n
Tempo de queda, carga indutiva	t_f		T_vj= 25°C		244		n
			T_vj= 125°C		365		n
			T_vj= 150°C		370		n
Perda de energia de ligação por pulso	Eon	V_CC= 600 V,I_C= 300A R_G=1,8Ω, V_GE=±15V	T_vj= 25°C		7.4		MJ
			T_vj= 125°C		11.1		MJ
			T_vj= 150°C		11.6		MJ
Desligue Perda de energia por pulso	Eof		T_vj= 25°C		32.0		MJ
			T_vj= 125°C		39.5		MJ
			T_vj= 150°C		41.2		MJ
Dados do SC	CSI	V_GE≤ 15V, V_CC= 600V	tp≤10 μs T_vj= 150°C			1350	A
Resistência térmica IGBT, caixa de junção	RthJC					0.1	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		150	°C

Diodo

Número máximo Classificados Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores	Unidade
Voltagem reversa repetitiva	VRRM		T_vj= 25°C	1200	V
Corrente contínua de corrente contínua	Eu..._F			300	A
Corrente pulsada de diodo,tp limitada por T_Jmax	IFpulse			600	A

Características Valores

Ponto	Símbolo	Condições		Valores			Unidade
				Minha.	Tipo.	Max. - O quê?
Voltagem para a frente	V_F	Eu..._F= 300A, V_GE=0V	T_vj= 25°C		2.30	2.70	V
			T_vj= 125°C		2.50
			T_vj= 150°C		2.50
Tempo de recuperação inverso	trr	Eu..._F= 300A DI_F/dt=-4900A/μs (T)_vj= 150°C) V_R= 600 V, V_GE= 15V	T_vj= 25°C		90		n
			T_vj= 125°C		120
			T_vj= 150°C		126
Corrente de recuperação inversa máxima	IRRM		T_vj= 25°C		212		A
			T_vj= 125°C		245
			T_vj= 150°C		250
Taxa de recuperação inversa	QRR		T_vj= 25°C		19		μC
			T_vj= 125°C		27
			T_vj= 150°C		35
Perda de energia de recuperação inversa por pulso	Erec		T_vj= 25°C		7.7		MJ
			T_vj= 125°C		13.3
			T_vj= 150°C		14.0
Diodo de resistência térmica, caixa de junção	RthJCD					0.23	K / W
Temperatura de funcionamento	TJop			- 40		150	°C

Produção Característica (típica) Característica (típica)

Eu..._C= f (V)_CE) I_C= f (V)_CE)

T_vj= 150°C

IGBT

Transferência Característica (típica) Mudança perdas IGBT(típico)

Eu..._C= f (V)_GE) E = f (R_G)

V_CE= 20 V V_GE= ±15V, I_C= 300A, V_CE= 600V

IGBT RBSOA

Mudança perdas IGBT(típico) Atrás preconceito seguro operação Área ((RBSOA)

E = f (I)_C) I_C=f (V)_CE)

V_GE= ±15V, R_G= 1,8Ω, V_CE= 600 V V_GE= ±15V, R_Goff.= 1,8Ω, T_vj= 150°C

Tipico Capacidade como a) função de colector-emissor tensão Carga de porta (típica)

C = f (V)_CE) V_GE= f (Q_G)

f = 100 kHz, V_GE= 0V I_C= 300A, V_CE= 600V

IGBT

IGBT transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura Avançar Característica de Diodo (típico)

Zth(j-c) = f (t) I_F= f (V)_F)

Perdas de comutação Diodo (típico)Perdas Diodo (típico)

E_Rec= f (R_G) E_Rec= f (I_F)

Eu..._F= 300A, V_CE= 600V R_G= 1,8Ω, V_CE= 600V

Diodo transiente térmico Impedância como a) função de pulso largura

Zth(j-c) = f (t)

Um módulo de meia ponte IGBT é um dispositivo eletrônico de potência que combina dois transistores bipolares de porta isolada (IGBTs) dispostos em uma configuração de meia ponte.Esta configuração é comumente usada em várias aplicações onde o controle bidirecional da potência é necessárioAqui estão alguns pontos-chave sobre módulos de meia-ponte IGBT:

1. IGBTs: IGBTs são dispositivos semicondutores que combinam as características de ambos os transistores de efeito de campo de porta isolada (IGFETs) e transistores de junção bipolar (BJTs).Eles são amplamente utilizados na eletrônica de potência para comutação e controle de energia elétrica.

2Configuração de meia ponte: a configuração de meia ponte consiste em dois IGBT conectados em série, formando um circuito de ponte.Um IGBT é responsável por conduzir durante o ciclo positivo da forma de onda de entradaEste arranjo permite o controlo bidirecional da corrente.

3. Nomes de tensão e corrente: os módulos de meia-ponte IGBT são especificados com nomes de tensão e corrente. Por exemplo, uma classificação comum pode ser 1200V/300A,Indicando a tensão e a corrente máximas que o módulo pode suportar.

4Aplicações: os módulos de meia-ponte IGBT encontram aplicações em acionamentos de motores, inversores, fontes de alimentação e outros sistemas que exigem comutação de energia controlada.São adequados para aplicações em que seja necessário controlo de velocidade variável ou inversão de potência.

5. Refrigeração e gestão térmica: Tal como acontece com os IGBT individuais, os módulos de meia ponte IGBT geram calor durante a operação.são cruciais para manter o desempenho e a confiabilidade adequados do dispositivo.

6. Circuitos de Acionamento de Portão: Um circuito de Acionamento de Portão adequado é essencial para controlar a comutação de IGBTs de forma eficaz.Isto inclui assegurar que os sinais da porta são adequadamente sincronizados e têm níveis de tensão suficientes.

7Ficha de dados: os utilizadores devem consultar a ficha de dados do fabricante para especificações pormenorizadas, características eléctricas,e orientações de aplicação específicas para o módulo de meia-ponte IGBT que estão a utilizar.

IGBT half-bridge modules are widely employed in industrial and automotive applications for their capability to handle high power levels and provide efficient and controlled switching of electrical currents.

Circuito Diagrama Título

Pacote Esboços

Dimensões em mm

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