Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd

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Módulos IGBT 34 mm

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Cidade:wuxi
Província / Estado:jiangsu
País / Região:china
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1600V 180A 3 fases semi-controladas + módulo de chopper de travagem IGBT-SPS180RC16K2

Solid Power-DS-SPS180RC16K2-S04040007 V1.0 1600V 180A 3 fases semi-controladas + módulo de chopper de travagem IGBT Características: Substrato
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1200V 200A Full Bridge IGBT Module Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0

Solid Power-DS-SPS200F12K3-S04030013 V1.0 1200 V 200A IGBT Cheio Ponte Modulo Características: D Tecnologia de travagem de 1200 V □ Diodos d
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1600V 240A módulos IGBT EconoPack 3 Fase Chopper módulo semi-controlado-Solid Power-DS-SPS240RC16K3-S04030012 V1.0

Solid Power-DS-SPS240RC16K3-S04030012 V1.0 De potência ≤ 1 kV 240A 3 fases Metade. Controlado+IGBT Freio Chopper Modulo 1600V 240A + IGBT - Gera
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Modulos IGBT de 1200V 15A EasyPIM DS-SPS15P12W1M4-S040600003

A partir de 1 de janeiro de 2014, a Comissão deve apresentar ao Parlamento Europeu e ao Conselho uma proposta de decisão relativa à aplicação da pres....
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DS-SPS200AR12G3-S04010010 Módulo IGBT de travagem de chopper 1200V 200A

A partir de 1 de janeiro de 2016, a taxa de produção de energia elétrica deve ser fixada no valor de 0,15 g/cm3 para a produção de energia elétrica......
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Modulo IGBT de alta potência de 150A de 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

- Solid Power-DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 1200 V 150A IGBT Metade. Ponte Modulo 1200 V 150A IGBT Características: D Tecnolo
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Modulos IGBT automóveis personalizados 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Solid Power-DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 1700 V 100A IGBT Metade. Ponte Modulo 1700 V 100A IGBT Características: D Tecnologia de frenage
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OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019

Forças sólidas-DS-SPS100B12G3H6-S04010019 1200 V 100A IGBT Metade. Ponte Modulo 1200 V 100A IGBT Características: D Tecnologia de t
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Modulo IGBT de ponte de 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Solid Power-DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 1700 V 75A IGBT Metade. Ponte Modulo Características: Estrutura de travessia de 1700V e paragem de
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Módulo de meia ponte IGBT Mosfet 1200V 50A Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 sólido

Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 1200 V 50A IGBT Metade. Ponte Modulo Características: D Tecnologia de travagem de 1200 V □ Diodos
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