Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd

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Módulos IGBT 34 mm

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Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
Cidade:wuxi
Província / Estado:jiangsu
País / Região:china
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 Módulos IGBT 34 mm

DS-SPS200AR12G3-S04010010 Módulo IGBT de travagem de chopper 1200V 200A

A partir de 1 de janeiro de 2016, a taxa de produção de energia elétrica deve ser fixada no valor de 0,15 g/cm3 para a produção de energia elétrica......
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Modulo IGBT de alta potência de 150A de 34 mm DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0.

- Solid Power-DS-SPS150B12G3M4-S0401G0021 V1.0. 1200 V 150A IGBT Metade. Ponte Modulo 1200 V 150A IGBT Características: D Tecnolo
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Modulos IGBT automóveis personalizados 34 mm DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0

Solid Power-DS-SPS100B17G3R8-S04010015 V1.0 1700 V 100A IGBT Metade. Ponte Modulo 1700 V 100A IGBT Características: D Tecnologia de frenage
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OEM 1200V 100A H Bridge Mosfet Module DS-SPS100B12G3H6-S04010019

Forças sólidas-DS-SPS100B12G3H6-S04010019 1200 V 100A IGBT Metade. Ponte Modulo 1200 V 100A IGBT Características: D Tecnologia de t
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Modulo IGBT de ponte de 1700V 75A H DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0.

Solid Power-DS-SPS75B17G3-S04010014 V1.0. 1700 V 75A IGBT Metade. Ponte Modulo Características: Estrutura de travessia de 1700V e paragem de
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Módulo de meia ponte IGBT Mosfet 1200V 50A Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 sólido

Solid Power-DS-SPS50B12G3H6-S04010020 V-3.0 1200 V 50A IGBT Metade. Ponte Modulo Características: D Tecnologia de travagem de 1200 V □ Diodos
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Módulo de energia de meia ponte IGBT 1200V 75A Solid Power-DS-SPS75B12G3H6-S04010018 V-2.0

A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de unidades de produção de energia elétrica deve ser fixado no valor da unidade de produção de energia. ......
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Modulo de meia-ponte IGBT de 75A 1200V

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Modulos IGBT de 1200 V 34 mm DS-SPS200AL12G3-S04010009 V-1.0 Módulo de chopper de travagem

Solid Power-DS-SPS200AL12G3-S04010009 V-1.0 1200 V 200A IGBT Freio Chopper Modulo Características: Estrutura de travagem de 1200 V Alta capac
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