Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
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Características:
□ Alta tensão de bloqueio com baixa resistência de ligação
□ Comutação de alta velocidade com baixas capacitancias
□ Diodo intrínseco rápido com baixa recuperação inversa (Qrr)
Tipico Aplicações:
□ Inversores fotovoltaicos
□ Pilhas de carregamento
D Sistemas de armazenamento de energia
□ Fornecimento de energia industrial
□ Motores industriais
Número máximo Classificações @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)
| Ponto | Símbolo | Condições | Valores | Unidade |
| Voltagem da fonte de drenagem | VDSmax | VGS=0V, ID=100μA | 1200 | V |
| Voltagem da fonte da porta | VGSop | Estática | -5/+20 | V |
| Voltagem máxima da fonte da porta | VGSmax | Estática | -8/+22 | V |
|
Corrente de drenagem contínua |
Identificação |
VGS=20V, Tc=25°C | 47 | A |
| VGS=20V, Tc=100°C | 33 | |||
| Corrente de drenagem pulsada | ID (pulso) | Largura de pulso tp limitada por Tjmax | 70 | A |
| Dispersão do Poder | P.D. | TC=25.C, Tj=175°C | 288 | W |
| Faixa de intersecção operacional | Tj | -55 a +175 | °C | |
| Intervalo de temperatura de armazenamento | Tstg | -55 a +175 | °C |
| Ponto | Símbolo | Condições |
Valores Min. Tipo. - O máximo. |
Unidade | ||
| Tensão de ruptura da fonte de drenagem | V ((BR) DSS | VGS=0V, ID=100μA | 1200 | - | - | V |
|
Voltagem de limiar da porta |
VGS (th) |
VDS=VGS, ID=5mA | 2.0 | 2.8 | 3.5 |
V |
| VDS=VGS, ID=5mA, Tj=175.C | - | 1.9 | - | |||
| Corrente de descarga de tensão de porta zero | IDSS | VDS=1200V, VGS=0V | - | 1 | 100 | μA |
| Corrente de vazamento da porta-fonte | IGSS | VGS=20V, VDS=0V | - | 10 | 100 | nA |
|
Resistência ao estado da fonte de drenagem |
RDS (ligado) |
VGS=20V, ID=20A | - | 75 | 90 |
mΩ |
| VGS=20V, ID=20A, Tj=175.C | - | 133 | - | |||
| VGS=18V, ID=20A | - | 82 | 120 | |||
| VGS=18V, ID=20A, Tj=175.C | - | 137 | - | |||
|
Transcondutividade |
gfs |
VDS=20V, IDS=20A | - | 10 | - |
S |
| VDS=20V, IDS=20A, Tj=175.C | - | 11 | - | |||
|
Energia de comutação de ligação (FWD do diodo do corpo) |
Eon |
VDS=800V,VGS=-5V/20V, ID=20A, RG(ext)=2.5Ω, L=200μH, Tj=25.C FWD=SPS75MA12E4S |
- |
343 |
- |
μJ |
| Energia de comutação de desligamento (FWD do diodo do corpo) |
Eof |
- |
97 |
- |
||
|
Tempo de atraso de ligação |
Td (em) |
VDD=800V, VGS=-5V/20V, ID=20A,RG(ext)=2.5Ω, L=200μH |
- |
6 |
- |
n |
|
Hora de subir. |
tr |
- |
22 |
- |
||
| Tempo de atraso de desligamento | td (desligado) | - | 20 | - | ||
| Tempo de Outono | Tf | - | 10 | - | ||
|
Carga de porta para a fonte |
Qgs |
VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=20A |
- |
35 |
- |
nC |
|
Portão para descarga de descarga |
Qgd |
|||||
| - | 25 | - | ||||
| Taxa total da porta | Qg | - | 87 | - | ||
| Capacidade de entrada | Ciss |
VGS=0V, VDS=1000V f=1MHz,VAC=25mV |
- | 1450 | - |
pF |
| Capacidade de saída | Coss | - | 66 | - | ||
| Capacidade de transferência reversa | Crss | - | 13 | - | ||
| COSS Energia armazenada | Eoss | - | 40 | - | μJ | |
|
Resistência interna do portão |
RG ((int) |
f=1MHz, VAC=25mV |
- |
2.4 |
- |
Ó |
Para trás Diodo Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)
| Ponto | Símbolo | Condições |
Min. |
Valores Tipo. |
- O máximo. |
Unidade |
|
Voltagem de diodo para a frente |
VSD |
VGS=-5V, ISD=10A | - | 4.9 | 7 | V |
| VGS=-5V, ISD=10A, Tj=175.C | - | 4.0 | - | V | ||
| Corrente contínua de diodo para a frente |
IS |
VGS=-5V |
- |
46 |
- |
A |
| Tempo de recuperação inverso | trr | VGS=-5V, | - | 22 | - | n |
| Taxa de recuperação inversa | Qrr | ISD=20A, | - | 397 | - | nC |
| Corrente de recuperação inversa máxima | Irrm | VR=800V, di/dt=3000A/μs | - | 29 | - | A |
Para trás Diodo Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)
| Ponto Símbolo | Condições | Valores Unidade | ||||
| Resistência térmica da junção ao estuque | RθJC | - | 0.5 | - | °C/W | |
Tipico Desempenho
Tipico Desempenho
Tipico Desempenho
Trata-se de um Transistor de Efeito de Campo de Metal-Óxido-Semicondutor de Carbono de Silício (SiC) (MOSFET) com uma tensão nominal de 1200V e uma resistência em estado (RDS(on)) de 75 miliohms (75mΩ).Os MOSFETs SiC são conhecidos por sua capacidade de alta tensão e baixa resistência no estado, tornando-os adequados para aplicações eletrónicas de potência eficiente, tais como conversores de alta frequência e veículos elétricos.A resistência em estado activo de 75 mΩ indica perdas de potência relativamente baixas durante a condução, contribuindo para a melhoria da eficiência em aplicações de alta potência.