Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
Sobreviver pela qualidade, desenvolver pela inovação
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Forças sólidas-DS-SPS12MA12E4S
1200 V 12 mΩ SiC MOSFET
Características:
□ Alta tensão de bloqueio com baixa resistência de ligação
□ Comutação de alta velocidade com baixas capacitancias
□ Diodo intrínseco rápido com baixa recuperação inversa (Qrr)
Tipico Aplicações:
□ Inversores fotovoltaicos
□ Pilhas de carregamento
D Sistemas de armazenamento de energia
□ Fornecimento de energia industrial
□ Motores industriais
Número máximo Classificações @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)
| Ponto | Símbolo | Condições | Valores | Unidade |
| Voltagem da fonte de drenagem | VDSmax | VGS=0V, ID=100μA | 1200 | V |
| Voltagem da fonte da porta | VGSop | Estática | -5/+20 | V |
| Voltagem máxima da fonte da porta | VGSmax | Estática | -8/+22 | V |
|
Corrente de drenagem contínua |
Identificação |
VGS=20V, Tc=25°C | 214 |
A |
| VGS=20V, Tc=100°C | 151 | |||
| Corrente de drenagem pulsada | ID (pulso) | Largura de pulso tp limitada por Tjmax | 400 | A |
| Dispersão do Poder | P.D. | TC=25°C, Tj=175°C | 938 | W |
| Faixa de intersecção operacional | Tj | -55 a +175 | °C | |
| Intervalo de temperatura de armazenamento | Tstg | -55 a +175 | °C |
Eletrodomésticos Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)
| Ponto | Símbolo | Condições |
Valores Min. Tipo. - O máximo. |
Unidade | ||
| Tensão de ruptura da fonte de drenagem | V ((BR) DSS | VGS=0V, ID=100μA | 1200 | - | - | V |
| Voltagem de limiar da porta |
VGS (th) |
VDS=VGS, ID=40mA | 2.0 | 2.7 | 3.5 | V |
| VDS=VGS, ID=40mA, Tj=175°C | - | 1.9 | - | |||
| Corrente de descarga de tensão de porta zero | IDSS | VDS=1200V, VGS=0V | - | 2 | 100 | μA |
| Corrente de vazamento da porta-fonte | IGSS | VGS=20V, VDS=0V | - | 10 | 100 | nA |
|
Resistência ao estado da fonte de drenagem |
RDS (ligado) |
VGS=20V, ID=100A | - | 12 | 20 |
mΩ |
| VGS=20V, ID=100A, Tj=175°C | - | 20 | - | |||
| VGS=18V, ID=100A | - | 13 | 25 | |||
| VGS=18V, ID=100A, Tj=175°C | - | 21 | - | |||
| Transcondutividade |
gfs |
VDS=20V, IDS=100A | - | 60 | - | S |
| VDS=20V, IDS=100A, Tj=175°C | - | 52 | - | |||
|
Energia de comutação de ligação (FWD do diodo do corpo) |
Eon |
VDS=800V,VGS=-5V/20V, ID=100A, RG(ext)=5Ω, L=100μH, Tj=25°C FWD=SPS12MA12E4S |
- |
5.2 |
- |
MJ |
| Energia de comutação de desligamento (FWD do diodo do corpo) |
Eof |
- | 3.7 | - | ||
|
Tempo de atraso de ligação |
Td (em) |
VDD=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A,RG(ext)=5Ω, L=100μH |
- |
24 |
- |
n |
| Hora de subir. | tr | - | 149 | - | ||
| Tempo de atraso de desligamento | td (desligado) | - | 145 | - | ||
| Tempo de Outono | Tf | - | 49 | - | ||
|
Carga de porta para a fonte |
Qgs |
VDS=800V, VGS=-5V/20V, ID=100A |
- |
215 |
- |
nC |
| Portão para descarga de descarga | Qgd | - | 179 | - | ||
| Taxa total da porta | Qg | - | 577 | - | ||
| Capacidade de entrada |
Ciss |
VGS=0V, VDS=1000V f=1MHz VAC=25mV |
- | 8330 | - |
pF |
| Capacidade de saída | Coss | - | 343 | - | ||
| Capacidade de transferência reversa | Crss | - | 57 | - | ||
| COSS Energia armazenada | Eoss | - | 217 | - | μJ | |
| Resistência interna do portão |
RG ((int) |
f=1MHz, VAC=25mV | - | 0.8 | - | Ó |
Para trás Diodo Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)
| Ponto Símbolo | Condições |
Valores Unidade Min. Tipo. - O máximo. |
||||
| Voltagem de diodo para a frente |
VSD |
VGS=-5V, ISD=50A | - | 4.7 | 7 | V |
| VGS=-5V, ISD=50A, Tj=175°C | - | 3.8 | - | V | ||
| Corrente contínua de diodo para a frente |
IS |
VGS=-5V | - | 214 | - | A |
| Tempo de recuperação inverso | trr | VGS=-5V, | - | 46 | - | n |
| Taxa de recuperação inversa | Qrr | ISD=100A, | - | 1 | - | nC |
| Corrente de recuperação inversa máxima | Irrm | VR=800V, di/dt=1597A/μs | - | 37 | - | A |
Para trás Diodo Características @Tc=25°C (a não ser que Caso contrário especificado)
| Ponto Símbolo | Condições | Valores Unidade | ||||
| Resistência térmica da junção ao estuque | RθJC | - | 0.16 | - | °C/W | |
| Resistência térmica da junção ao ambiente |
RθJA |
- | 32 | - | °C/W | |
Desempenho típico
Desempenho típico
Desempenho típico
Desempenho típico
Desempenho típico
Este é um MOSFET de carburo de silício (SiC) de 1200 V com uma resistência em estado de funcionamento de 12 miliohms (12mΩ).tornando-os adequados para aplicações electrónicas de potência eficiente, como conversores de alta frequência e veículos elétricos.
Pacote Esboço: TO-247-4 litros