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IGBT discreto

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Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd

Cidade:wuxi

Província / Estado:jiangsu

País / Região:china

Pessoa de contato:MrZhou

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1500V 3A MOSFET Discreto N Channel Discreto módulos de semicondutores-Solid Power-DS-SPS03NM15T3PH-S03040001 V-1.0

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Número do modelo :SPS03NM15T3PH

Configuração :Solteiro

Corrente contínua do dreno (identificação) :30A

tensão da Dreno-fonte (Vdss) :60 V

Tensão da Porta-fonte (VGS) :+/- 20 V

Capacidade entrada (Ciss) :1900 pF

Estilo de montagem :Através do Buraco

Número de canais :Solteiro

Intervalo de temperatura de funcionamento :-55°C a +175°C

Capacidade de saída (Cost) :400pF

Tipo de embalagem :TO-220AB

Dissipação de poder (paládio) :75W

Rds On (Max) @ Id, Vgs :8.5 mOhm @ 30A, 10V

Capacidade de transferência reversa (Crss) :300pF

Polaridade do transistor :N-canal

Nome do produto :Módulos de semicondutores discretos, Potência de semicondutores discretos, Indústrias de semiconduto

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A partir de 1 de janeiro de 2017, o número de veículos a motor não deve ser superior a 20 km/h.0

1500 V 3A N-canal MOS Discreto

Características:

Troca rápida
Resistência ON baixa
Baixa carga da porta Minimizar a perda de comutação
Diodo de corpo de recuperação rápida

Tipico Aplicações:

Adaptador
Carregador

Força de espera SMPS

Trata-se de um transistor discreto de efeito de campo de óxido metálico-semicondutor de canal N (MOSFET) com uma tensão nominal de 1500V e uma corrente nominal de 3A.Os MOSFETs de canal N são dispositivos semicondutores comuns usados em várias aplicações eletrônicasO 1500V indica a tensão máxima que o dispositivo pode suportar, e o 3A representa a corrente máxima que ele pode lidar.Em aplicações específicas, devem ser considerados circuitos de acionamento e dissipação de calor adequados para garantir a fiabilidade e o desempenho do MOSFET.

Circuito Diagrama Título

Pacote Esboços

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