p canal igt

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60A 650V N-Channel IGBT de alta potência para armazenamento de energia Características principais Ic @TC=100°C 60A VCE 650V VCE (sat) tipo 1.8V...

TOSHIBA isolou o canal bipolar IGBT do silicone N do transistor da porta GT30J121 Aplicações do interruptor do poder superior Aplica...

GT20J301: Canal de N (aplicações) do controlo do motor do interruptor do poder superior Toshiba Toshiba isolou o canal bipolar IGBT do silicone N do...

N-canal IGBT muito rápido de STGP7NC60HD GP7NC60HD TO220 com diodo Ultrafast Descrição Estes dispositivos são IGBT muito rápidos desenvolvidos usando ......

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Módulo de poder de IRGP 4068 DPBF 600V 6.5A IGBT com o baixo VCE (sentado) e o IEM do ponto baixo Produto: Módulo de poder de IRGP4068DPBF IG...

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DESCRIÇÃO DO PRODUTO Chegadas novas do motorista Circuit I2C TLA2022IRUGR Texas Instruments do módulo de 200W IGBT Módulo de...

Módulo de poder Texas Instruments de IGBT /TI TLA2022IRUGR Definição (bocados) 12 Número de canais de entrada 1...

Motorista do lado do alto e baixo de JY21L, alta tensão, motorista de alta velocidade do MOSFET do poder e do IGBT baseados no processo de P-SUB P-EPI......

IMBG120R350M1HXTMA1 montagem PG-TO263-7-12 da superfície 65W do N-canal 1200 V 4.7A (Tc) (Tc)Módulos de Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Os mód......

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GT50N322A 50N322 Toshiba America Componentes Eletrônicos IGBT Canal N 1000V 3 Pinos TO-3P(N) Componentes IGBT DISCRETOS Especificações Técnicas do Pr......

máquina do recozimento de indução de 35Kw IGBT, registrador da temperatura de 6 canais Detalhe rápido: Tipo: Outro Lugar de or...