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Detalhe do produto EmpacotamentoCorte a fita (os CT)Estado da parteInterrompido na Digi-chaveTipo do FETN-canalTecnologiaMOSFET (óxido de metal)Drene...
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Circuitos integrados N/A MRF150 do microcontrolador de IC MCU dos componentes MRF150 eletrônicos Especificação artigo...
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DMT6009LSS-13 únicos transistor do canal 60V 10.8A do MOSFET N Semicondutor discreto do MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2 dos FETS Especifica...
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FET internamente combinado da X-faixa do transistor de poder de FLM0910-25F RF DESCRIÇÃO O FLM0910-25F é um FET do GaAs do poder que esteja internamen......
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Componentes originais do FET IC do MOS do canal do silicone N do transistor 2SK1305 FET original TO-3P do MOS do canal do silicone N do...
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Especificações de NTZD3154NT1G Estado da parte Ativo Tipo...
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FDV303N Transistores FET digitais de N-canal de semi-RF Fabricante: semi- Categoria do produto: MOSFETs RoHS: Detalhes Tecnologia: S...
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Modo do realce do P-canal do transistor de efeito de campo 2.5A da alimentação com MOS dos FETs SOT-23 dos MOSFETs SI2301 20V A1SHB Características:Te......
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HF excelente do FET 28V do transistor LDMOS do amplificador de potência do Rf da estabilidade de Theramal a 2.7GHz...
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De NTTFS3A08PZTAG dos transistor dos FETs único P-CH 20V 9A 8WDFN P-canal dos MOSFETs Descrição de produtos: 1. -20V, - 15A, 6,7 Mω, MOSFET do p...
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Produto: Transistor de poder de HMC442LC3BTR RF Descrição: O HMC442LC3BTR é um ganho alto, poder médio GaN sic no FET da heterojunçã...
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Descrição do produtoMOSFET do FET do transistor 180A 200W HEXFET do canal de IRF1404ZPBF N N-canal 180A 200W dos transistor de IRF1404ZPBF através dos......
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O transistor do efeito de campo do modo do realce do N-canal de NX7002AK NEXPERIA (FET) em um SOT23 pequeno (TO-236AB) Superfície-montou DEspecificaçõ......
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SMP3003 Transistor TO-263-2 SMP3003-DL-1E Circuito Integrado IC Chip em estoque Encontre informações aqui em stock.xlsx Atributos do produto T...
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Número da peça: AOTF14N50 Descrição: MOSFET N-CH 500V 14A TO220F Categoria: Semicondutor discreto Products>>FETs - escolha Empacotamento: Tubo Tipo do ......
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N-canal 650 V 31.2A de IPP65R110CFDA (Tc) 277.8W (Tc) através do furo PG-TO220-3 Características: Categoria Únicos FETs, MOSFETs Mfr Infineon ......
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O transistor de alta tensão original do Mosfet, trabalho e características do transistor do Mosfet da tensão de Using Transistor High do motorista do ......
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